需要注意的是，跳線的放置位置十分重要。必須把跳線放置在可減少布線長(zhǎng)度的位置。下圖可詳細(xì)說(shuō)明。如下圖所示，在兩張圖片中，輸入和輸出引腳間都有同 樣長(zhǎng)度的間距，只是跳線位置稍有不同。第一張圖的電路沒(méi)有受到天線效應(yīng)的影響，而第二張圖中的電路卻受到了天線效應(yīng)的影響。

　　圖4：在柵周?chē)迦胩€。

通過(guò)這個(gè)例子可以很明顯的看出，可使用跳線（又叫做“橋”）避免天線效應(yīng)。跳線即斷開(kāi)存在天線效應(yīng)的金屬層，通過(guò)通孔將靜電荷傳送到更高一層的金屬 層，然后再回到當(dāng)前層。在金屬化的過(guò)程中，除了在最高一層上，引腳與很小的電線面積相連接，避免該層以下的任何天線問(wèn)題的發(fā)生。

插入二極管

如圖所示，在邏輯柵輸入引腳旁邊插入二極管，可為底層電路提供一個(gè)電荷泄放路徑，因此累積電荷就無(wú)法對(duì)晶體管柵構(gòu)成威脅。使用二極管可為通過(guò)基板聚集在金屬層上的額外離子提供電荷泄放路徑。

　　圖5：在邏輯柵輸入周?chē)迦攵O管。

然而，插入二極管會(huì)增加邏輯柵的輸入負(fù)載，從而增大電路單元面積并影響時(shí)序。此外，空間狹小的地方不適合插入二極管。

　　圖6：通過(guò)插入二極管或橋（布線）控制天線效應(yīng)。

總結(jié)

在集成電路的制造過(guò)程中，由于金屬層暴露在外，導(dǎo)致上面聚集了許多靜電電荷。電荷的數(shù)量取決于很多原因，從天線的角度來(lái)說(shuō)，電荷的數(shù)量取決于金屬的暴 露面積。金屬暴露的面積越大，聚集的電荷就越多?；逦挥诘撞坎⑴c制造設(shè)器件連接，因此在柵氧化層產(chǎn)生一個(gè)電壓梯度。當(dāng)這個(gè)梯度變得足夠大時(shí)，它將通過(guò)爆 炸性放電（即“閃電”）來(lái)釋放。這個(gè)問(wèn)題對(duì)小型技術(shù)領(lǐng)域產(chǎn)生非常大的影響，因?yàn)樾闺娝鶐?lái)的損害很可能波及整個(gè)柵極。

由于表達(dá)天線比率方法并沒(méi)有統(tǒng)一，因此對(duì)于每項(xiàng)加工技術(shù)而言，天線規(guī)則檢查都不同。

可在需要受到保護(hù)的柵極旁邊插入反向偏置二極管，避免電路遭受天線效應(yīng)。在芯片正常運(yùn)行期間，反向偏置二極管可防止電子在電路與二極管間流動(dòng)，并防止 電子流向芯片基板。然而再制造過(guò)程中，電路上的電荷會(huì)聚集在某一點(diǎn)上，在這一點(diǎn)上電壓會(huì)超過(guò)其承受限度。這一點(diǎn)上的電壓高于電路正常運(yùn)行的電壓，但低于柵 極中可預(yù)期的靜電放電電壓。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，二極管允許電子從電路中流向基板，因此緩解電路中累積的電荷。這是一個(gè)非破壞性過(guò)程，并且在制造過(guò)程中，電 路可通過(guò)二極管進(jìn)行多次放電。

另一個(gè)避免遭受天線效應(yīng)的方法是通過(guò)改變金屬層對(duì)天線進(jìn)行“切割”（即“跳線法”）。當(dāng)該金屬層被制成時(shí)，一側(cè)的大片金屬層不再電連接到柵極，因此不 會(huì)產(chǎn)生天線效應(yīng)。當(dāng)通過(guò)更高級(jí)金屬“橋”進(jìn)行連接時(shí)，導(dǎo)體表面不再暴露在外，因此不會(huì)收集游離電荷，從而避免天線效應(yīng)。