數(shù)字射頻存儲(chǔ)器用GaAs超高速3bit相位體制ADC的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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由圖7 測(cè)試結(jié)果可知，如果定義10°相位誤差（對(duì)應(yīng)±0.22LSB）為界，那么該電路具有接近150MHz的帶寬，ADC 的輸出碼流速率可達(dá)1.2Gbps。以上測(cè)試結(jié)果均在2GHz 時(shí)鐘速率下測(cè)得。
5、結(jié)論
本文詳細(xì)討論、分析了用于3bit相位體制DRFM 系統(tǒng)的3bit 相位體制ADC的設(shè)計(jì)過程。利用南京電子器件研究所標(biāo)準(zhǔn)GaAs Φ76mm 全離子注入工藝，采用全耗盡非自對(duì)準(zhǔn)MESFET 器件加工實(shí)現(xiàn)了3bit 超高速相位體制ADC。測(cè)試結(jié)果表明，電路可在2GHz 時(shí)鐘速率下完成采樣、量化，達(dá)到1.2Gbps 的輸出碼流速率，其瞬時(shí)帶寬可達(dá)150MHz，具備±0.22LSB 的相位精度。經(jīng)進(jìn)一步改進(jìn)后可應(yīng)用于3bit 相位體制DRFM 系統(tǒng)中。
評(píng)論