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基于SiC器件的高效E類功率放大器

作者：時間：2014-07-17 來源：網(wǎng)絡(luò)

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本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/259352.htm

圖7 漏極效率隨工作電壓的變化曲線

圖8 附加效率隨工作電壓的變化曲線

6 結(jié)論和展望

本文設(shè)計，仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段E類功率放大器，輸入輸出阻抗匹配電路均采用微帶線實現(xiàn)。在工作電壓設(shè)為35V，輸入功率為2.5W的情況下，實際測量的輸出功率可以達到32.5W，在頻率為900MHz附近，漏極效率可以達到64％，增益可以達到10dBm。從以上特性可以看出，基于SiC器件的E類功放具有很好的性能，在新一代的無線通信中將會有廣闊的應用前景。

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關(guān)鍵詞： SiCMESFET E類功率放大器 效率

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