1引言

在目前X波段T/R組件研制中多采用多芯片組裝形式，用以滿足對(duì)X波段組件對(duì)體積和重量的苛刻要求，在組件設(shè)計(jì)過程中由于大量采用MMIC微波單片芯片及各種控制芯片，使得電路密度大大提高，但在芯片互聯(lián)過程中因安裝工藝的限制和要求，也同樣引入了很多不確定因素和微波傳輸上的不連續(xù)性。這些問題的累積對(duì)級(jí)聯(lián)后的系統(tǒng)性能將產(chǎn)生不利影響，同時(shí)會(huì)加大批量生產(chǎn)后組件性能的離散性。在諸多因素中芯片間的金絲互聯(lián)是最為常見的問題。一定長(zhǎng)度和粗細(xì)的金絲對(duì)微波傳輸性能的影響是隨著傳輸頻率的升高而增大的。

2分析和計(jì)算

在目前微波芯片鍵合互聯(lián)中最為常用的是直徑25微米和18微米的金絲，在使用中金絲的長(zhǎng)度一般不超過0.4毫米，在低于3GHz頻率的應(yīng)用中，這樣尺寸的金絲對(duì)微波傳輸性能的影響是微弱的，在電路設(shè)計(jì)中一般可忽略。但在高于8GHz的高頻應(yīng)用中，其對(duì)電性能的影響卻是應(yīng)該加以重視了，尤其在多級(jí)系統(tǒng)級(jí)聯(lián)之后，其累積效應(yīng)對(duì)系統(tǒng)性能的影響是明顯的。圖1和圖2是對(duì)單根金絲在跨接標(biāo)準(zhǔn)微帶時(shí)對(duì)微波傳輸性能的影響仿真。計(jì)算模型是在微帶線之間跨接一根長(zhǎng)0.4毫米，直徑18微米金絲。

圖1金絲跨接微帶示意圖

由圖2可以看出金絲跨接對(duì)駐波和傳輸特性的影響，駐波可以從1.2惡化到1.9，插損由小于0.3dB惡化到0.7dB。這僅僅是一根金絲對(duì)微帶傳輸線的影響，在X波段T/R組件中，一般由限幅器、低噪聲放大器、衰減器、移相器、開關(guān)和功率放大器等微波元器件組成，這些器件目前均已實(shí)現(xiàn)單片化，在組件設(shè)計(jì)中重點(diǎn)解決的就是器件之間的互聯(lián)問題，在諸多互聯(lián)問題中，金絲影響是不可回避的問題。圖3是X波段T/R組件接收通道在考慮了互聯(lián)因素前后的性能變化。

圖2金絲對(duì)駐波和傳輸性能的影響