設(shè)計考慮：

ICE3AR2280JZ的最大占空比為0.7，為了合理利用占空比以覆蓋超寬的電壓范圍，取反射電壓為150V.根據(jù)最低輸入電壓，滿載條件可知最大占空比為0.62.因此電感為：1.024mH


選原邊匝數(shù)Np=72，副邊主5V匝數(shù)Ns1=3，芯片Vcc匝數(shù)Nvcc=8；考慮到輸出采用直流層疊的方式，故12V繞組圈數(shù)取4（12V繞組疊加于主5V輸出，而非5V繞組端）。變壓器結(jié)構(gòu)如下：




測試結(jié)果：

負(fù)載調(diào)整率及輸入調(diào)整率：



上下MOSFET的開關(guān)波形及輸出紋波：

結(jié)語：

通過測試可以看出：當(dāng)CoolSET內(nèi)部MOSFET的Vds電壓達(dá)到550V左右時，電壓被TVS所鉗位；通過原邊電流的續(xù)流將外置MOSFET徹底關(guān)斷，從而使得整個關(guān)斷的電壓應(yīng)力由兩個MOSFET串聯(lián)分擔(dān)。采用二級LC濾波后，輸出紋波為：24mV（5V），79mV（12V），20mV（隔離5V）；交叉調(diào)整率方面可以在輸出不外加線性穩(wěn)壓器情況下實現(xiàn)10%以內(nèi)的交叉調(diào)整（》10%負(fù)載）。對于更高壓的設(shè)計，可以采用多個TVS串聯(lián)方式，以800VCoolSET和800VCoolMOS為例，最高耐壓可達(dá)1600V.可以完全適應(yīng)高壓輸入應(yīng)用的要求。