封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設計適用于支持更大電流的新一代便攜式設計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。

　　計算機、工業(yè)及電信領域的電源應用設計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設計出盡可能小的外形尺寸?，F(xiàn)在，設計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結合，同時實現(xiàn)高效率、低導通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。

　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產品變得更密集，同時還可降低功耗，減少散熱。

       這款極小型器件的面積為 2.5 毫米 × 3 毫米，高度不足 0.5 毫米，可實現(xiàn)具有最低導通電阻的輕薄設計。電源塊 II 可提高標準分立式 MOSFET 的效率，實現(xiàn)顯著的節(jié)電效果。

　　電源塊 II 采用創(chuàng)新的柵格陣列式 LGA 封裝，可在半個橋配置中嵌入 兩個分立式 MOSFET。這樣可為較低的導通電阻及小尺寸實現(xiàn)最多的硅含量。該器件系列可生成 15A 至 30A 的連續(xù)電流。此外，它們還具有 DualCoolTM 功能，可通過散熱片進行頂部制冷，支持更大的電流。除了更好的散熱性能外，最新電源塊 II 封裝還符合 ROHS 標準，完全不含鹵素和鉛。

其它資源：

　　查看 CSD87381P NexFET 的產品說明書。

　　觀看 TI 最新電源塊 II 器件的概覽視頻。