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            宜普電源轉(zhuǎn)換公司全力支持工程師參加谷歌與美國電氣電子工程師學(xué)會(IEEE)聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽

            作者: 時間:2014-07-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              電源轉(zhuǎn)換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)設(shè)計出超小型以勝出該挑戰(zhàn)賽。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/256281.htm

              電源轉(zhuǎn)換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創(chuàng)建更小體積的并贏取100萬美元獎金。由于氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關(guān)速度及小尺寸等優(yōu)勢,因此它是的理想晶體管。

              「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽的主旨是什么?

              「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽旨在鼓勵工程師給太陽能功率系統(tǒng)開發(fā)出更細小及更廉價的功率逆變器。 逆變器是該系統(tǒng)的一部分,可從太陽能電池把直流電轉(zhuǎn)換成可與目前電力網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施兼容的交流電。減低逆變器的成本對太陽能系統(tǒng)的總成本的影響很大。

              為何使用氮化鎵(eGaN)?

              - 高效率/低損耗

              與使用MOSFET器件的解決方案相比, 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)的開關(guān)性能可實現(xiàn)更高開關(guān)頻率,從而可縮小儲存能量元件的體積,這些元件的體積支配逆變器的尺寸。

              - 超快開關(guān)速度

              由于采用橫向結(jié)構(gòu)的氮化鎵場效應(yīng)晶體管的尺寸細小,因此可實現(xiàn)超低電容及零QRR值,同時該器件使用LGA封裝,可實現(xiàn)低電感。這些特點使得氮化鎵器件可實現(xiàn)前所未有的開關(guān)性能 -與MOSFET器件的開關(guān)速度相比大約增快一至兩倍。 開關(guān)速度是提高開關(guān)頻率的主要因素。

              - 小尺寸

              氮化鎵(GaN)是一種寬頻隙器件,與傳統(tǒng)MOSFET技術(shù)相比,具優(yōu)越的傳導(dǎo)性能,使得器件在相同的導(dǎo)通電阻下(RDS(on)),器件的尺寸可以更細小并具有更低電容。

              對參賽者的支持

              電源轉(zhuǎn)換公司全力支持這個由谷歌及美國電氣電子工程師學(xué)會(IEEE)聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽。如果您的團隊有興趣探討利用宜普的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)設(shè)計出具高功率密度的逆變器并參加是次比賽,請瀏覽網(wǎng)頁http://epc-co.com/epc/cn/LittleBoxChallenge.aspx?utm_source=LBC&utm_medium=PR&utm_content=LBC_Landing-Page&utm_campaign=LBCPR。

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