圖4 射頻收發(fā)開關(guān)芯片照片(接收狀態(tài))

　　圖5 射頻收發(fā)開關(guān)測(cè)試平臺(tái)照片

　　圖6 接收模式下插入/回波損耗測(cè)試結(jié)果

　　圖7 接收模式下隔離度測(cè)試結(jié)果

　　圖6和圖7均為該射頻開關(guān)在接收狀態(tài)下S參數(shù)測(cè)試結(jié)果。從圖6中可以看出，在0.1-1.2GHz頻段范圍內(nèi)，開關(guān)的插入損耗(S21)為-0.7dB左 右，且平坦度良好，輸入、輸出回波損耗(S11和S22)小于-20dB;從圖7中可以看出，在整個(gè)頻段內(nèi)射頻開關(guān)的隔離度(S13)均大于37dB，具 有良好的隔離特性。由于采用全對(duì)稱結(jié)構(gòu)，該射頻開關(guān)在發(fā)射狀態(tài)下的S參數(shù)測(cè)試結(jié)果與接收狀態(tài)下相比基本相同。圖8所示的為該收發(fā)開關(guān)在433MHz及 900MHz頻率下的輸出功率曲線及1dB壓縮點(diǎn)。測(cè)試結(jié)果表明，兩個(gè)頻率的輸出功率曲線1dB壓縮點(diǎn)分別為23.1dBm和22.7dBm，且功率壓縮 特性基本一致。

　　圖8 輸出1dB壓縮點(diǎn)測(cè)試結(jié)果

　　結(jié)束語

　　本文設(shè)計(jì)了一種性能良好的超寬帶全集成CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片，芯片總面積為0.53mm2。測(cè)試結(jié)果表明，在1.8V電壓供電條件下，該射頻開關(guān)在0.1-1.2GHz頻段內(nèi)收發(fā)兩路均可達(dá)到 0.7dB左右的插入損耗，小于-20dB的回波損耗以及優(yōu)于37dB的隔離度。并且，在433MHz和900MHz頻率下可分別實(shí)現(xiàn)23.1dBm和 22.7dBm的線性度。該電路滿足0.1-1.2GHz頻段無線寬帶射頻收發(fā)芯片的基本設(shè)計(jì)需求，并適用于RFID和GSM-R系統(tǒng)中的典型應(yīng)用。