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            LED 芯片封裝缺陷檢測(cè)方法及機(jī)理研究

            作者: 時(shí)間:2010-05-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

              3結(jié)論

              針對(duì)引腳式過(guò)程中存在的封裝缺陷問題,基于p-n結(jié)的光生伏特效應(yīng),利用電子隧穿效應(yīng)分析了一種封裝缺陷對(duì)性能的影響。理論分析表明,當(dāng)芯片電極表面存在非金屬膜層時(shí),流過(guò)LED支架回路的光電流小于光生電流,隨著膜層厚度的增加,回路光電流逐漸減小,其檢測(cè)信號(hào)減小。通過(guò)非接觸法檢測(cè)待測(cè)LED光激勵(lì)信號(hào)并與焊接合格的LED光激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行比較,實(shí)現(xiàn)對(duì)引腳式封裝LED芯片在壓焊工序中/后的功能狀態(tài)及封裝缺陷的檢測(cè)。分析了影響檢測(cè)精度的因素。用焊接合格與芯片電極表面存在非金屬膜的12mil黃LED樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明,該方法可以檢測(cè)LED支架回路微安量級(jí)光生電流信號(hào),并具有較高的信噪比,檢測(cè)結(jié)果能實(shí)現(xiàn)對(duì)焊接質(zhì)量合格與芯片失效或存在封裝缺陷的LED的區(qū)分,達(dá)到對(duì)LED芯片在壓焊工序中/后的功能狀態(tài)及封裝的目的,從而降低LED生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品質(zhì)量、避免使用存在缺陷的LED造成重大損失。

            參考文獻(xiàn):

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            作者:

            蔡有海(1982-),2005年畢業(yè)于重慶大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系,獲學(xué)士學(xué)位,現(xiàn)于重慶大學(xué)光電工程學(xué)院攻讀碩士學(xué)位,研究方向?yàn)閮x器科學(xué)與技術(shù)。

            文玉梅(1964一),1984年畢業(yè)于北京航空航天大學(xué)電子工程系,獲學(xué)士學(xué)位,1987年航天部第一研究院研究生院畢業(yè)獲碩士學(xué)位,1997年重慶大學(xué)獲博士學(xué)位。1988年起在重慶大學(xué)光電工程學(xué)院工作至今,教授,博士生導(dǎo)師。1999年至2000年英國(guó)牛津大學(xué)工程系高級(jí)訪問研究員。主要研究方向?yàn)閭鞲衅骷夹g(shù),信號(hào)(圖象)處理。


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