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            利用吉時利4200-SCS型優(yōu)化小電流測量的最佳解決方案

            作者: 時間:2012-10-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            在生成電流-時間圖形時施加一個測試電壓,重復(fù)該項測試,確定測量電路中的漏泄電流。在DUT的實際測量中,使用的是測試電壓,而非零偏壓?,F(xiàn)在,將測量并繪制測試夾具和電纜中的任何漏流。如果漏流太高,可對測量電路進(jìn)行調(diào)節(jié),減小漏流。關(guān)于減小漏流的方法信息,請參見本文“漏流和保護(hù)”部分。

            IV測量誤差源及減小誤差的方法

            確定了電流偏移、漏流及所有不穩(wěn)定性后,采取措施減小測量誤差將有助于提高測量準(zhǔn)確度。這些誤差源包括建立時間不足、靜電干擾、漏泄電流、摩擦效應(yīng)、壓電效應(yīng)、污染、濕度、接地環(huán)路,以及源阻抗。圖5中匯總了本節(jié)討論的部分電流的幅值。

            產(chǎn)生電流的典型幅值

            圖5.產(chǎn)生電流的典型幅值

            建立時間和定時菜單設(shè)置

            測量電路的建立時間在測量小電流和高電阻時尤其重要。建立時間是指施加或改變電流或電壓后測量達(dá)到穩(wěn)定的時間。影響測量電路建立時間的因素包括并聯(lián)電容(CSHUNT)和源電阻(RS)。并聯(lián)電容是由于連接電纜、測試夾具、開關(guān)和探針造成的。DUT的源電阻越高,建立時間越長。圖6的測量電路中標(biāo)出了并聯(lián)電容和源電阻。

            包含CSHUNT和RS的SMU測量電路

            圖6.包含CSHUNT和RS的SMU測量電路

            建立時間是RC時間常數(shù)τ的結(jié)果,其中:

            τ=RSCSHUNT

            以下為計算建立時間的一個例子,假設(shè)CSHUNT=10pF,RS=1TΩ,那么:

            τ=10pF×1TΩ=10s

            因此,讀數(shù)穩(wěn)定至最終值的1%所需的建立時間為τ的5倍,也就是50秒。圖7所示為RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)。經(jīng)過一個時間常數(shù)(τ=RC)后,電壓上升至最終值的63%。

            RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)

            圖7.RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)

            為了成功測量小電流,重要的是每次測量留有足夠的時間,尤其是掃描電壓時。對于掃描模式,可在“SweepDelay”(掃描延遲)域的“Timing”(定時)菜單中添加建立時間;對于采樣模式,則在“Intervaltime”域內(nèi)。為了確定需要增加多長間隔時間,通過繪制電流-時間圖,測量DUT穩(wěn)定至某個階躍電壓的建立時間。階躍電壓應(yīng)該是DUT實際測量中使用的偏執(zhí)電壓??衫肔owCurrent項目中的ITM測量建立時間。應(yīng)適當(dāng)增加“Timing”(定時)菜單中的“#Samples”,以確保穩(wěn)定后的讀數(shù)顯示在圖形中。在測量小電流時,采用“QuietSpeedMode”或在“Timing”菜單中增加額外濾波。請注意,這是噪聲和速度之間的平衡。濾波和延遲越大,噪聲越小,但是測量速度也越小。

            V電磁干擾和屏蔽

            當(dāng)帶電物體接近被測電路時,會發(fā)生靜電耦合或干擾。低阻抗時,由于電荷消失很快,所以干擾的影響不明顯。然而,高電阻材料不會使電荷快速衰減,則會造成測量不穩(wěn)定、噪聲很大。通常情況下,當(dāng)被測電流≤1nA或者被測電阻≥1GΩ時,靜電干擾就會成為問題。

            為了減小靜電場影響,被測電路可被密封在一個靜電屏內(nèi)。圖8所示為非屏蔽和屏蔽測量一個100GΩ電阻之間的巨大差異。非屏蔽測量比屏蔽測量時的噪聲要大得多。

            100G

            圖8.100GΩ電阻的屏蔽和非屏蔽測量的比較

            屏蔽可以僅僅是一個將測試電路包圍起來的簡單金屬盒或金屬網(wǎng)。商業(yè)探針臺往往將敏感電路密封在一個靜電屏蔽內(nèi)。屏蔽被連接至測量電路LO端子,該端子不一定接地。對于4200-SCS來說,屏蔽連接至ForceLO端子,如圖9所示。

            屏蔽高阻器件

            圖9.屏蔽高阻器件

            采取以下步驟將靜電耦合導(dǎo)致誤的差電流降至最小:

            ?屏蔽DUT,并將屏蔽層在電氣上連接至測試電路公共端——4200-SCS的ForceLO端子。

            ?使所有帶電物體(包括人員)和導(dǎo)體遠(yuǎn)離電路的敏感區(qū)域。

            ?測試區(qū)域附近避免移動和振動。

            VI漏流和保護(hù)I

            漏流是施加電壓時通過(泄露)電阻的誤差電流。當(dāng)DUT的阻抗與測試電路中絕緣體的阻抗相當(dāng)時,該誤差電流就會成為問題。為減小漏流,在測試電流中采用高質(zhì)量的絕緣體、降低測試實驗室的濕度,并采用保護(hù)。

            保護(hù)是由一個低阻源驅(qū)動的導(dǎo)體,其輸出為或接近高阻端子的電勢。保護(hù)端子用于保護(hù)測試夾具和電纜絕緣電阻和電容。保護(hù)是三軸連接器/電纜的芯屏蔽,如圖10所示。

            4200三軸連接器/電纜的導(dǎo)體

            圖10.4200三軸連接器/電纜的導(dǎo)體

            請勿混淆保護(hù)和屏蔽。屏蔽通常意味著采用金屬護(hù)欄防止靜電干擾影響高阻電路。保護(hù)則意味著使用增加的低阻導(dǎo)體,將其維持在于高阻電路相同的電勢,它將攔截任何干擾電壓或電流。保護(hù)不一定提供屏蔽。下圖

            為保護(hù)的兩個例子:1)利用保護(hù)降低測試夾具導(dǎo)致的漏流,而2)則利用保護(hù)降低由于電纜連接產(chǎn)生的漏流。



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