40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 組件的光電特性及其測試
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3.3 光響應(yīng)度
衡量40Gb/s WD-PIN-PD的另一重要指標(biāo)是光響應(yīng)度(Re)，它是所產(chǎn)生的光生電流與入射光功率的比值。光響應(yīng)度不僅與吸收層材料的吸收率、吸收長度、內(nèi)量子效率、入射面反射率等有關(guān)，還與PN結(jié)離表面的距離和光纖耦合效率等緊密相關(guān)。對40Gb/s WD-PIN-PD僅有0.5×6μm2的進(jìn)光面來說，光纖耦合效率及光纖定位是最關(guān)鍵的問題。
我們設(shè)計并制作了一種楔形光纖，采用一種特定墊片和特定固化膠，使40Gb/s WD-PIN-PD在200μW光功率下，光生電流達(dá)95-120μA。
3.4 40Gb/s PIN-PD-TIA組件光接收靈敏度
通過共面波導(dǎo)，把40Gb/s WD-PIN-PD和40Gb/s TIA精細(xì)組裝起來，40Gb/s PIN-PD-TIA組件便制作完成了。經(jīng)初步測試，該組件的光接收靈敏度可達(dá)-7dBm。
4.光電特性測試
我們通過湖北省電子產(chǎn)品質(zhì)量檢驗監(jiān)督所和中科院微電子所（測試S21），測量了40Gb/s SDH光纖通信設(shè)備用PIN-TIA組件，其檢測結(jié)果如表1所示。
表1 40Gb/s SDH光纖通信設(shè)備用PIN-TIA組件檢測結(jié)果
圖5 40Gb/s WG-PIN-PD的暗電流、響應(yīng)度實測裝置
通過近2年不懈的努力，我們設(shè)計并制作出了具有自己知識產(chǎn)權(quán)40Gb/s CE側(cè)面進(jìn)光的波導(dǎo)型光探測器。初步測試表明，該光探測器在-3.3V下暗電流一般可小于15nA，光響應(yīng)度可大于0.45A/W，-3dB下模擬電帶寬可達(dá)32GHz。
作者單位：武漢電信器件有限公司
謝辭 在40Gb/s WD-PIN-PD研制工作中，羅飆、周鵬、王進(jìn)、汪飛參加了工藝制作，張學(xué)軍、雷誠進(jìn)行了管芯安裝、光耦合和測試，在此表示衷心的感謝。
參考文獻(xiàn)
John E. Bowers and Charles A .Burrus, Ultrawide-Band Long-Wavelength P-I-N Photodetectors, J. of Lightwave Technology, vol. LT-5,No. 10, pp.1339-1350, October 1987.
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