1.SYSOUTCLK組：CPU定時器、eCAN總線；

2.OSCCLK組：看門狗電路；

3.低速組：SCI、SPI、MCBSP，它們的輸入時鐘信號由SYSCLKOUT經(jīng)低速外設(shè)分頻器分頻得到；

4。高速組：EVA/B、ADC，它們的輸入時鐘信號由SYSCLKOUT經(jīng)高速外設(shè)分頻器分頻得到。

與PLL、時鐘配置相關(guān)的寄存器有：

1.PLLCR：用于設(shè)置PLL倍頻系數(shù)；

2.HISPCP：用于設(shè)置HSPCLK的分頻系數(shù)；

3.LOSPCP：用于設(shè)置LSPCLK的分頻系數(shù)；

4.PCLKCR：用于對高速、低速片上外設(shè)的運行進行啟/停控制。

各外設(shè)時鐘都可由對相關(guān)寄存器編程來實現(xiàn)。

5.2.2電源管理電路

TMS320F2812的工作電壓分為兩組，一組是供CPU內(nèi)核使用的1.8V的VCCCORE，設(shè)計上選用TI公司的TPS76718電源管理芯片，將+5V的電壓變換為+1.8V；另一組是供I/O口使用的3.3V的VCCIO，選用TI公司的TPS76733電源管理芯片將+5V電壓變?yōu)?3.3V。電源管理電路圖如圖5-3所示。

在設(shè)計DSP芯片與其它外圍芯片的接口時，如果外圍芯片的工作電壓也是3.3V，那么就可以直接連接。但是現(xiàn)在許多外圍芯片的工作電壓都是5V，為了使3.3V芯片與這些5V供電芯片可靠接口，應(yīng)根據(jù)各種電平的轉(zhuǎn)換標準來設(shè)計。

當電平轉(zhuǎn)換標準不一致或者由于承受電壓的限制而不能直接相接時，需要在兩者之間增加一個緩沖器件。本論文選用TI公司的74ALVC164245作為緩沖器件來設(shè)計兩者的接口。它采用3.3V和5V雙電壓供電。

除上述電路說明外，其它連接主要有：對一些未使用的輸入引腳接10k或20k上拉電阻或下拉電阻使其電平狀態(tài)穩(wěn)定；對要進行功能切換的引腳加跳線以備選擇。

5.2.3外部擴展存儲器

TMS320F2812為哈佛結(jié)構(gòu)的DSP，在邏輯上有4M×16位程序空間和4M×16位數(shù)據(jù)空間，但物理上已將程序空間和數(shù)據(jù)空間統(tǒng)一為一個4M×16位的存儲空間。

TMS320F2812的外部存儲器接口包括：19位地址線，16位數(shù)據(jù)線、3個片選及讀/寫控制線。這3個片選線映射到5個外部存儲區(qū)域，Zone0、1、2、6和7。這5個存儲區(qū)域可以分別設(shè)置為不同的等待周期。

其中Zone 0存儲區(qū)域：0X002000-0X003FFF，8K×16位；

Zone 1存儲區(qū)域：0X004000-0X005FFF，8K×16位；

Zone 2存儲區(qū)域：0X080000-0X0FFFFF，512K×16位；

Zone 6存儲區(qū)域：0X100000-0X17FFFF，512K×16位；

Zone 7存儲區(qū)域：0X3FC00-0X3FFFFF，16K×16位。

為滿足系統(tǒng)擴展的需要，系統(tǒng)外擴有8M的FLASH和8M的高速SRAM。外擴FLASH芯片采用SST公司的SST39VF800A 512K×16多用途FLASH，可用來存儲數(shù)據(jù)和程序。FLASH被映射到F2812的Zone 2存儲空間中，地址空間為0X080000-0X0FFFFF。

SRAM芯片采用ISSI公司的IS61LV51216高速、8M SRAM。SRAM映射到F2812的Zone 6存儲空間中，地址空間為0X100000-0X17FFFF。

外擴存儲器與TMS320F2812的XINTF接口電路如圖5-4所示。

具體的使用情況是：

片內(nèi)SARAM Ml存放掃描按鍵值范圍0x000400-0x00040A；

片內(nèi)SARMA L0存放AD轉(zhuǎn)換后的采樣值范圍0x008000-0x0080FF；

片內(nèi)FLASH存放程序代碼范圍0x3D8000-0x3F7FFF；

片內(nèi)FLASH存放計算后的測量值范圍0x080100-0x0FFFFF。