IRF7842的額定電壓為40V，若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路，則有助于增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬，一般在36V到75V之間，因而會(huì)在副邊產(chǎn)生5V至12V的電壓波動(dòng)。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓，所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對(duì)電信系統(tǒng)的副邊電源管理開關(guān)器件陣營更加充實(shí)。

當(dāng)IRF7842用于配備IR2085S原邊脈寬調(diào)制 (PWM) 集成電路的隔離式直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中的副邊同步整流時(shí)，可在150W全負(fù)載條件下效率達(dá)到95.2%；在相同直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中，IRF7842的效率要比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的40V器件高出0.5%。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“IRF7842采用了IR的溝槽式MOSFET技術(shù)，能優(yōu)化通態(tài)電阻及總體柵電荷，把損耗減至最低。其標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝提供簡(jiǎn)易產(chǎn)品升級(jí)到現(xiàn)有其它設(shè)計(jì)。”

IRF7842現(xiàn)已投入應(yīng)用。有關(guān)芯片產(chǎn)品的供貨資料，可瀏覽http://die.irf.com。數(shù)據(jù)表詳載于www.irf.com，基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品型號(hào) BVDSS VGS 10V下最大RDS(on) 4.5V下最大RDS(on) 50% VDS 下典型Qg 典型QGD 封裝
IRF7842 40V +/-20V 5mOhm 5.9mOhm 33nC 10nC SO-8