通過電子相關(guān)效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)，研究人員提高了一個(gè)特別的二維電子系統(tǒng)的能力，使其可儲(chǔ)存多出40%的電荷。 據(jù)研究人員披露，這一改良對增加場效應(yīng)晶體管的速度、限制其功率的消耗并同時(shí)限制其熱量的產(chǎn)生有幫助。

　　在正常情況下，一個(gè)平界面的保有電子負(fù)荷的能力受到其幾何性質(zhì)的限制，盡管有效地降低庫倫排斥的電子-電子間的相互作用迄今只能增加這一能力的數(shù)量級的幾 個(gè)百分點(diǎn)。 Lu Li及其同事如今證明，這種電子相關(guān)效應(yīng)可降低化學(xué)勢能，并能相當(dāng)顯著地在兩個(gè)金屬氧化物的界面提高電荷保持能力。 負(fù)壓縮效應(yīng)可導(dǎo)致電容增長40%；在一個(gè)二維電子系統(tǒng)中的電子間能量的交換和關(guān)聯(lián)可在電子密度增加的時(shí)候通過這一增長而降低該系統(tǒng)中的化學(xué)勢能。