領(lǐng)先全球 SanDisk和東芝公布15nm閃存芯片
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半導(dǎo)體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見的是 NAND 閃存(Flash)，因此針對(duì)此類芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個(gè)行業(yè)。威鋒網(wǎng) 4 月 24 日消息 日前，SanDisk 和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為止全球最領(lǐng)先的 15nm NAND 閃存的研發(fā)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/245996.htm
一般而言，提到半導(dǎo)體器件的制造工藝多數(shù)都會(huì)涉及晶片上集成的晶體管之間的連線寬度。更小的連線寬度可以在不增加芯片體積的情況下，集成更多的晶體管，使芯片的功能得到大幅擴(kuò)展和提升。而且連線寬度越小，晶體管的極限工作能力提升幅度越大，意味著先進(jìn)的制造工藝將帶來更出色的性能，同時(shí)能效越高。
毫無疑問，SanDisk 和東芝將 NAND 閃存研發(fā)帶到了全新的里程碑，勢必在全球行業(yè)內(nèi)造成重大影響，因?yàn)?15nm 的 NAND 閃存芯片制造工藝基本上是世界上最先進(jìn)的工藝。
據(jù)介紹，全球第二大 NAND 閃存廠商?hào)|芝將通過 15nm 工藝打造 2bpc MLC 128Gb(16GB) 顆粒。得益于更先進(jìn)的工藝改進(jìn)了外圍電路，其傳輸速率相比上一代 19nm 的模塊提高了 30%。
東芝表示，自家的 15nm NAND 閃存模塊將會(huì)于四月底在日本三重縣四日市的 Fab 5 廠房開始進(jìn)行量產(chǎn)，針對(duì)平板電腦、智能手機(jī)和筆記本固態(tài)硬盤的 NAND 模塊將使用 3bpc 的顆粒。同時(shí)，SanDisk 也將使用 15nm 生產(chǎn) 2bpc 和 3bpc 閃存顆粒，具體計(jì)劃在今年下半年。
目前半導(dǎo)體業(yè)務(wù)各大廠商都在追求新的工藝，但產(chǎn)能并不足以滿足供給，由于蘋果獲得了臺(tái)積電大量 20nm 訂單，Nvidia 和 AMD 的新一代顯卡被迫停留在 28nm 工藝。另外，英特爾以及 GlobalFoundries 和三星合作的最新的 14n 制造工藝也做好了準(zhǔn)備，今年年底就能在市面上看到成品，但是良品率依然是這些半導(dǎo)體廠商的痛。
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