理論上講，3.5G LTE的發(fā)射架構(gòu)仍然可以采用2G/3G時代的RF-基帶直接下變頻架構(gòu)和RF-中頻-基帶的IF轉(zhuǎn)換架構(gòu)。兩種架構(gòu)各有優(yōu)缺點(diǎn)，直接下變頻架構(gòu)實(shí)現(xiàn)成本低，但性能要差一些。IF轉(zhuǎn)換架構(gòu)實(shí)現(xiàn)成本高一些，但性能要好一些。但不管是哪種架構(gòu)，PLL的典型相位抖動的EVM性能指標(biāo)要低于1% rms。

LTE對發(fā)射通道的總的性能要求為：1）3.5G LTE頻譜質(zhì)量和輻射限制應(yīng)當(dāng)符合現(xiàn)有3G WCDMA規(guī)格要求；2）單載波LTE發(fā)射器可以與3G架構(gòu)非常類似；3）EVM和頻譜質(zhì)量是關(guān)鍵指標(biāo)；4）DAC的動態(tài)范圍由發(fā)射的LTE（或WCDMA）載波數(shù)量決定。對高動態(tài)范圍的多載波設(shè)計而言，建議采用16位DAC。5）目前業(yè)內(nèi)的寬帶IQ調(diào)制器可以提供必需的動態(tài)范圍：SFDR=2/3（OIP3-NSD）〉80dB。6）為得到最好的EVM性能，建議選擇集成VCO的寬帶小數(shù)-N合成器。7）為了滿足頻譜質(zhì)量和高PAR OFDM要求，必須選用高線性度前置放大器和功放。

對于接收通道來講，如果選用IF轉(zhuǎn)換架構(gòu)，那么選擇高IF（單次轉(zhuǎn)換）和低IF（二次轉(zhuǎn)換）對接收通道的影響也是各有千秋。例如，如果選擇高IF，那么ADC線性度良好，ADC噪聲性能也良好，系統(tǒng)復(fù)雜性更低，信道可選擇性好，系統(tǒng)成本也會因?yàn)楦蛷?fù)雜度和更少的轉(zhuǎn)換級而更低，但不足的地方是，對抖動/PN的靈敏度高，轉(zhuǎn)換器成本更高，為了實(shí)現(xiàn)更好的線性度而需要的轉(zhuǎn)換器功率也更高。

如果選擇低IF，那么ADC線性度將會更好，ADC噪聲性能也會更好，對抖動/PN的靈敏度低，信道可選擇性也更好，轉(zhuǎn)換器成本更低，轉(zhuǎn)換器功率也更低，但不足的地方是，系統(tǒng)復(fù)雜性更高（因增加了一個轉(zhuǎn)換級），系統(tǒng)成本也會因?yàn)樾盘栨溕细嗟脑?shù)而更高。

如果選擇直接下變頻架構(gòu)，也各有優(yōu)缺點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)包括：很好的轉(zhuǎn)換器性能，非常簡單的信號鏈和架構(gòu)，更低的元件數(shù)，更低的系統(tǒng)成本。缺點(diǎn)包括：增益/相位/非正交IQ信號的正交誤差較大，有DC失調(diào)問題，信號鏈可能很難設(shè)置和維護(hù)。

總的來講，與TD-SCDMA相比，幀的結(jié)構(gòu)沒有任何改變。LTE FDD和TD-LTE在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)的接收靈敏度水平方面也沒有什么區(qū)別。不過，LTE要求明顯比TD-SCDMA更嚴(yán)苛！如果現(xiàn)有的TD-SCDMA平臺不能提供足夠的裕量，那么主要的接收通道可能不得不進(jìn)行重新設(shè)計。軟件和DSP需要升級以滿足可伸縮OFDMA對信號處理和調(diào)度的新要求。