iPad稍早發(fā)布后，對于A4討論非常重要。除了一個樣品以外，iPhone 4中的A4面貌是在6月7日的蘋果電腦全球研發(fā)者大會(WWDC)主旨演講中正式宣布的。現(xiàn)在可以比較兩個類似的平臺：即將推出的iPhone 4及其前輩3GS AP。為了在芯片級進行比較，我們使用了已公開很長時間的兩條信息。UBM TechInsights公布了3GS的裸片圖，被分解到了擴散區(qū)，即有效區(qū)域?qū)用?。對這個3GS圖進行分析，并與Chipworks有注解的裸片顯微照片比較。該顯微照片首次透露了A4平面布置圖的有用細節(jié)。

　　最簡單和最引人矚目的發(fā)現(xiàn)，是電路模塊的數(shù)目和類型幾乎沒有明顯變化。在兩款器件中，ARM CPU內(nèi)核都占用了相對較大的裸片面積，該內(nèi)核含有一個大型L2 SRAM緩存，以及10個額外的數(shù)字邏輯模塊。A4裸片較小，為51.8 mm2對72.2 mm2，但這沒有透露多少設(shè)計方面的情況，因為A4是利用45納米工藝制造的。

　　盡管該架構(gòu)似乎非常相似，但在蘋果A4與iPhone 3GS AP之間的面積分配方面明顯不同?？纯床煌瑓^(qū)域所占的面積比例，可以得到幾個發(fā)現(xiàn)：

　　? 主要電路模塊之間未被使用的面積(由膠合邏輯與空白空間構(gòu)成)，幾乎翻倍(從12%上升到21%)；

　　? 模擬電路增加50%(不過這是工藝縮小到45納米的結(jié)果，制程縮小沒有給模擬設(shè)計節(jié)省多少面積)；

　　? ARM CPU內(nèi)核占用的空間只是略有減少，但數(shù)字模塊占用的總體裸片面積減少約10%；

　　? CPU內(nèi)核上的L2緩存約占50%的macro area，而在3GS上該比例低于40%；

　　? 該CPU內(nèi)核上的總體SRAM macro area大得多，在電路模塊內(nèi)占60%以上的面積。

　　蘋果A4中內(nèi)嵌ARM Cortex-A8系統(tǒng)級芯片背面紅外成像的結(jié)構(gòu)觀察

　　資料來源：MuAnalysis