手機充電管理設計要點及主流方案解析
圖六. BF9024SPD-MS Layout參考
在低成本應用中,可使用分離的MOS管和肖特基二極管來代替集成器件,如圖二。BF92301P的小封裝能滿足您此類設計需求,其主要參數(shù)請參考表二。
2、PMOS+ PMOS:TI和部分MTK平臺、雙電池平臺中采用這種方式。此種應用是PMOS+肖特基二極管應用的改良。在PMOS+肖特基二極管應用的充電回路中,肖特基二極管因持續(xù)導通會占用0.4V以上的壓降,而將肖特基二極管換為PMOS管后,因MOS的導通內阻非常小,壓降可大幅降低,從而保證USB端口或外接5V基準電壓在經充電回路損耗后仍能有足夠高于單節(jié)鋰電充電所需電壓。
推薦產品:BF9024DPD-MS,主要參數(shù),請參考表二。
隨著手機主板越來越小,手機功能越來越多,人們希望手機或數(shù)碼產品一次充電后能使用更長的時間。在此需求下,衍生出了雙電池的應用。雙PMOS在雙電池的應用中能很好的利用其極低的導通壓降和電流單流向易控性來實現(xiàn)。
3、PNP管+PMOS:Qualcomm平臺幾乎都是采用這種方式。PNP管用于控制充電的開關和充電電流的大小,PMOS則作為開關元件實現(xiàn)充電回路的連通和切斷。
推薦產品:BF92301P,主要參數(shù),請參考表二。
表二. BF92301P和BF9024DPD-MS主要參數(shù)
在各平臺供應商產品不斷更新下,手機充電管理應用中,PMOS+肖特基二極管的外部電路始終是最簡潔、可靠的選擇之一。從展訊的6600L到6600L6、6600L7、6610K,一直采用此方式作為充電設計。至于聯(lián)發(fā)科目前極力推廣的新平臺MTK6253,除其本身含有的電源管理部分外,在其外部電路中將過壓保護(OVP)、恒流等功能集中在一起,形成二次保護。當然,這種做法,在聯(lián)發(fā)科早期的設計中也出現(xiàn)過,即采用PMIC(Power Management IC)來專門處理電源部分。但隨著應用技術的成熟,手機適配器的輸出接口統(tǒng)一,其輸出電壓(5V±5%)能做到和標準USB接口完全一致,一些有研發(fā)實力的設計公司已經將PMOS+肖特基二極管應用到MTK6253平臺上,只不過在外部電源輸入部分再加一穩(wěn)壓二極管,從而極大的節(jié)約電源管理部分成本。
本文小結
常見充電電路中,PMOS是應用中關鍵器件,其品質、性能直接影響充電發(fā)熱量及充電時間長短。比亞迪微電子的MOS產品,經歷多年市場的錘煉,無論產品品質、價格、交期及產品技術支持,都得到良好提升。
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