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            智能手機(jī)設(shè)計(jì)的兩個(gè)關(guān)鍵因素

            作者: 時(shí)間:2012-08-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            我們正處于PC機(jī)向移動(dòng)便攜設(shè)備過渡的時(shí)期,據(jù)預(yù)測(cè)到2015年,全球?qū)?huì)有超過46億的移動(dòng)用戶,而75%的內(nèi)容將會(huì)由用戶自行產(chǎn)生,而視頻也將100%達(dá)到高清。而計(jì)算設(shè)備也進(jìn)一步的便攜化,這帶來了智能手機(jī)爆發(fā)式增長。

            短短幾年的時(shí)間,手機(jī)處理器工藝水平從90納米提升到現(xiàn)在的28納米,在工藝水平及主頻方面都得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。除了手機(jī)處理器性能的提升,越來越多的計(jì)算由云端完成,這得益于3G甚至LTE網(wǎng)絡(luò)的迅速發(fā)展。整個(gè)過程當(dāng)中,處理器主頻的提升給手機(jī)廠商的設(shè)計(jì)帶來了很大的挑戰(zhàn),其中包括信號(hào)完整性的設(shè)計(jì)以及功耗的設(shè)計(jì)。在日前深圳會(huì)展中心由創(chuàng)意時(shí)代舉辦的“第五屆手機(jī)創(chuàng)新設(shè)計(jì)大會(huì)”上,康佳集團(tuán)設(shè)計(jì)驗(yàn)證主管尹志誠向與會(huì)專業(yè)觀眾分享了智能手機(jī)處理器“核戰(zhàn)”下的硬件設(shè)計(jì)策略。


            從功能機(jī)到智能機(jī),如何提升信號(hào)完整性?


            以下為演講摘錄:


            為什么說在手機(jī)“核”軍備競(jìng)賽的今天,最重要的兩個(gè)關(guān)鍵因素,一個(gè)是信號(hào)完整性設(shè)計(jì),另外是低功耗的設(shè)計(jì)?


            以一個(gè)典型的雙核智能手機(jī)技術(shù)架構(gòu)為例,在這個(gè)技術(shù)架構(gòu)里,在高速總線就有低功耗的DDR2、音視頻處理的HDMI、顯示和USB2.0,這些高速數(shù)據(jù)下在以前的功能機(jī)時(shí)代是無法去想象的。另外一個(gè)比較大的區(qū)別是射頻端,整體來說智能手機(jī)射頻的通訊制式更加集成,集成了多種通信制式,同時(shí)在連接端,進(jìn)場(chǎng)連接端有藍(lán)牙、WIFI、GPS。這一部分在以前功能手機(jī)的設(shè)計(jì)中是很簡單的,只需要射頻測(cè)試就能搞定的事情,但現(xiàn)在涉及到要有耦合和的控制。


            在電池部分,由于現(xiàn)在電池容量也越來越大,核心處理器對(duì)電池的要求也越來越多,功耗要求也越來越大。在這一部分,會(huì)要求到PDN電源網(wǎng)絡(luò)合理分配的設(shè)計(jì)和壓降的設(shè)計(jì)。

            以前我們?cè)诠δ軝C(jī)時(shí)代做設(shè)計(jì)比較簡單,原理圖出來之后直接畫機(jī),然后直接測(cè)試一下就可以通過了。但在目前智能機(jī)高速發(fā)展的時(shí)代,這種設(shè)計(jì)一定要基于仿真的主板設(shè)計(jì)。在原理圖完成之后,首先要經(jīng)過信號(hào)和PI的前仿真,通過分析通道阻抗匹配、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),分析電源地層疊的分布,自動(dòng)優(yōu)化輸出電容濾波方案的BOM清單,分析電源地平面結(jié)構(gòu)劃分。PCB設(shè)計(jì)完成以后,要經(jīng)過SI/PI的后仿真,分析信號(hào)時(shí)域波形、電源實(shí)時(shí)噪聲,分析信號(hào)與電源地之間干擾、電源地阻抗、諧振模式,自動(dòng)優(yōu)化電容濾波方案、消除諧振點(diǎn),分析電源地平面、過孔等直流壓降/電流密度,達(dá)到一個(gè)比較好的PCB設(shè)計(jì)性能,然后測(cè)試通過以后,整個(gè)產(chǎn)品才可以往下繼續(xù)走。


            在我們做仿真的過程當(dāng)中,也有一些經(jīng)驗(yàn)想跟大家做一些分享。像多層的BI電流回路,目前智能機(jī)一般是8層板到10層板,我列了8層板的回流路徑。有兩種方式解決:一種是在去耦電容與組IC在主板的不同側(cè)面,只需要考慮到去耦電容和IC電流路徑最短原則就可以了,只考慮到垂直過孔的回流路徑。但事實(shí)上很多時(shí)候是在去耦電容和組IC在同一側(cè)面,這時(shí)候更多是考慮內(nèi)部走線的情況,就會(huì)比較復(fù)雜一點(diǎn)。從左IC的地過孔過來之后,經(jīng)過PCP走線,最后要考慮電流的回路平面,電源和地過孔的數(shù)量匹配,通過去耦電容以后回到組IC,整個(gè)路程要分析這部分內(nèi)容,走線的回流平面。


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            關(guān)鍵詞: 手機(jī)設(shè)計(jì) NFC CPU

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