智能負載切換有助于實現(xiàn)可靠的熱插拔系統(tǒng)
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浪涌電流控制
避免突然開啟MOSFET所帶來問題的一個常用技術是柵極電壓逐漸上升，以足夠慢的速率使負載電容的電壓跟蹤最小VGS電壓。這確保了工作點將保持在低電流區(qū)域，接近SOA圖的底部。通過適當選擇C2的值，可以很容易地用圖1的電路實現(xiàn)這個策略。
雖然這種方案實現(xiàn)是比較簡單的，在上述方案中的斜坡上升率必須有大的裕度，以適應MOSFET和電源總線負載電容的變化。對于小電流至中等電流的應用，指定一個稍大的MOSFET可能不是一筆很大的額外費用，也許可以通過簡化的控制成本來進行調(diào)整。在其他情況下，必須對板上的大電容進行充電，這種做法可能會導致很大的時間延遲，這是指當一個模塊插入到更大的系統(tǒng)時控制工程網(wǎng)版權(quán)所有，以及當它準備開始運作時之間的時間。
采用電流檢測硬件，使用負反饋控制，就有可能保持恒定電流通過SOA。通過提供精確的漏電流調(diào)節(jié)，MOSFET的開關軌跡(圖2，簡單的電流限制)可以設定為更大的電流，要比在開環(huán)方式下前一種單純的增加柵極電壓情況更加謹慎。因為出于診斷目的常常需要監(jiān)測電流，電流檢測硬件可能已經(jīng)用于現(xiàn)有的設計，在這種情況下只需要增加控制邏輯。
圖3周期性的遲滯電流限制允許MOSFET電流增加到一個可允許的最大值，然后再降低回稍
低的水平。這種技術提供了線性電流控制的許多優(yōu)點，同時避免了許多潛在的穩(wěn)定性問題。然而，可靠地實現(xiàn)線性電流模式控制可能會非常棘手CONTROL ENGINEERING China版權(quán)所有，可能有不穩(wěn)定和不受控制的振蕩情況。另一種方法是使用一個遲滯控制電路(圖3)，其中MOSFET電流保持在更低和更高的閾值之間。在遲滯控制方案中，MOSFET柵極電壓斜坡上升直到漏電流達到預先設定的上限值。在這一點上，柵極電壓下降直到漏電流低于預定的低閾值。然后重復這一過程，漏極電流在兩個閾值之間變化?！ ?BR> 雖然遲滯控制可用少量分立元件來實現(xiàn)，也可以只用ispPAC可編程電源管理實現(xiàn)，如圖1中的電路。電源管理器件的每個電壓監(jiān)控引腳都支持有獨立的可編程高壓和低壓閾值的雙比較器功能。針對MOSFET的柵極電壓和相應的漏極電流，編程這個器件的FET驅(qū)動器輸出至較大的電流，提供了更快的速度，但仍控制了上升時間。用可編程器件來管理電流控制過程的另一個好處是它很簡單，充分整合熱插拔控制邏輯且能滿足電路板所需的正常工作要求。例如，可以對電源管理器件編程，允許電路板初始化的短時間內(nèi)有更大的電流，然后無縫地轉(zhuǎn)換到正常的工作模式，MOSFET完全開啟，并以較低的閾值監(jiān)測電流，檢測電路板的故障情況。
優(yōu)化開關性能
電源管理器件的可編程特性支持用戶實現(xiàn)更高的優(yōu)化控制技術，而幾乎沒有或增加額外的成本。這樣的技術實例是在兩個不同的階段對電路板上的電容充電，小電流的初始階段和大電流的最后階段，如圖4所示。
圖4兩相開關的原理是開關MOSFET在VDS高電壓時控制工程網(wǎng)版權(quán)所有，以較小電流對板上電容進行充電，然后當電容部分充電后，電流增加，MOSFET電壓VDS降低。
這個復雜性的價值在于它優(yōu)化了充電速率，使MOSFET的工作點更緊密地跟隨該器件的SOA曲線約束(如圖2中2個階段的電流限制圖)。這對先前闡述的恒流充電方案有兩個好處。首先，通過充電周期切換到一個更大電流的中間，需要更短的時間使負載電容上升到工作電壓；第二，這個方案只適用于MOSFET工作在更大電流的情況，當器件的VDS相對較小，功耗最小時。這使得設計人員根據(jù)所要求的性能指定更小、更便宜的MOSFET。盡管該技術是直接用可編程控制器實現(xiàn)熱插拔，如ispPAC電源管理器件，如果是用固定功能的熱插拔控制器來實現(xiàn)，就需要大量額外的硬件和設計投入。可編程性也使得設計人員更改控制參數(shù)更加簡單，更容易使用相同的基本電路以適應于多個應用，而很少或根本不改變硬件。
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