擁有專利技術(shù)的RadLo?低α粒子電鍍陽(yáng)極，顯著減少由α粒子引起的軟錯(cuò)誤故障頻率

　　霍尼韋爾宣布推出基于霍尼韋爾專利技術(shù)的新型RadLo? 低α 粒子電鍍陽(yáng)極產(chǎn)品，幫助降低由于α 粒子放射而引起的半導(dǎo)體數(shù)據(jù)錯(cuò)誤發(fā)生率。

　　新電鍍陽(yáng)極是RadLo產(chǎn)品系列的擴(kuò)充，它采用了霍尼韋爾專利的量測(cè)和精制技術(shù)，用于半導(dǎo)體封裝晶圓突塊工藝。

　　“我們已經(jīng)通過(guò)一些主要的分包商開(kāi)始批量生產(chǎn)新型低α 粒子電鍍陽(yáng)極產(chǎn)品，同時(shí)也已在OEM設(shè)備廠商完成了認(rèn)證程序?！被裟犴f爾電子材料先進(jìn)金屬和聚合物業(yè)務(wù)產(chǎn)品總監(jiān)克里斯?李(Chris Lee)表示，“新產(chǎn)品能夠迅速獲得認(rèn)證和采用表明我們的產(chǎn)品能滿足客戶的關(guān)鍵需要，幫助他們解決所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)和難題?！?/p>

　　半導(dǎo)體封裝材料中的α粒子放射會(huì)引起存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤并造成軟錯(cuò)誤，最終導(dǎo)致手機(jī)、平板、服務(wù)器、游戲機(jī)以及其他終端設(shè)備的運(yùn)行故障。隨著半導(dǎo)體尺寸的不斷減小以及功能需求的不斷增加，芯片對(duì)軟錯(cuò)誤的敏感度不斷提高。為了有效解決這個(gè)問(wèn)題，半導(dǎo)體封裝材料的設(shè)計(jì)人員需要借助低α 粒子放射的材料，例如霍尼韋爾RadLo系列產(chǎn)品。

　　在極低的α 粒子放射層級(jí)中，由于雜質(zhì)及宇宙射線等背景放射物的影響，測(cè)量α射線通量非常困難。為解決這一問(wèn)題，霍尼韋爾采取了嚴(yán)格的量測(cè)和程序控管。

　　隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)倒裝芯片封裝的發(fā)展，使用電鍍的晶圓凸塊工藝變得日益普遍?；裟犴f爾憑借自身的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，為晶圓突塊工藝提供高純度等級(jí)的電鍍陽(yáng)極(>99.99% )，包括低α鉛(Pb)、低α錫(Sn)以及低α銅(Cu)等。我們提供多種α粒子放射等級(jí)，包括每平方厘米每小時(shí)小于0.002次的含錫陽(yáng)極靶材。