在R&S和高通的共同努力下， Qualcomm® Gobi™9x35芯片組已經(jīng)得到充分驗(yàn)證，完全滿足3GPP Release 10 對(duì)于LTE-Advance 用戶平面吞吐量測(cè)試的要求，并在今年的世界移動(dòng)通信展會(huì)上進(jìn)行了展示。R&S®CMW500寬帶無(wú)線通信測(cè)試儀可以用于模擬LTE-Advance網(wǎng)絡(luò)，并且是業(yè)內(nèi)唯一一款既支持射頻測(cè)試又支持協(xié)議測(cè)試的平臺(tái)，其可以在單臺(tái)儀表內(nèi)支持全協(xié)議棧的驗(yàn)證。

　　羅德與施瓦茨和高通成功演示了高通最新的Gobi芯片組的能力，其可以完美支持LTE category 6 全部協(xié)議棧數(shù)據(jù)吞吐量測(cè)試。這一里程碑為移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商推進(jìn)LTE-A載波聚合的商業(yè)化指明了方向。

　　結(jié)果表明，Gobi 9x35芯片組不僅可以支持兩個(gè)載波聚合(每20MHz的帶寬)，在下行鏈路可以達(dá)到300 Mbps數(shù)據(jù)傳輸速率，還具有非凡的穩(wěn)定性?；谠撔酒M用戶設(shè)備將使已經(jīng)獲得額外的頻譜資源的移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商在未來(lái)可以為用戶提供更高的峰值傳輸速率。有了這樣的成就，羅德與施瓦茨和高通將會(huì)使整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芤?，加?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/LTE-Advance">LTE-Advanced載波聚合功能的商業(yè)化進(jìn)程。

　　如果您的測(cè)試實(shí)驗(yàn)室正在尋找滿足各類測(cè)試，具有最大靈活性的測(cè)試設(shè)備，那么R&S®CMW500是您的絕佳選擇。R&S®CMW500寬帶無(wú)線通信測(cè)試儀能夠支持下行300 Mbps的IP層傳輸速率，在下行支持兩個(gè)20MHz帶寬的載波(包括2x2 或者4x2 MIMO方式)，沒(méi)有任何頻段及帶寬的限制。在此之前，方案針對(duì)LTE-Advance的載波聚合通常采用兩個(gè)10MHz的載波，在category4下，可以達(dá)到150Mbps的下行速率。支持Cat6的終端可以使這一數(shù)值翻倍，即300Mbps。

　　目前羅德與施瓦茨公司提供LTE FDD 和LTE TDD 模式LTE-Advance下行載波聚合的射頻測(cè)試和協(xié)議測(cè)試解決方案，并在2014年世界移動(dòng)通信大會(huì)6號(hào)館C40展臺(tái)進(jìn)行了展示。