開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。

飛兆半導(dǎo)體UniFET II MOSFET的反向恢復(fù)性能較替代解決方案提升50%。如果反向恢復(fù)速度較慢，則無(wú)法處理高反向恢復(fù)電流尖刺，會(huì)帶來更大的開關(guān)損耗及功率MOSFET的發(fā)熱，而飛兆半導(dǎo)體解決方案則能夠耐受較現(xiàn)有解決方案高兩倍以上的電流應(yīng)力。

UniFET II MOSFET器件基于飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)平面技術(shù)，具有更好的品質(zhì)因數(shù)(FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg)，更低的輸入和輸出電容，以及業(yè)界最佳的反向恢復(fù)性能，并具有高效率。而且，這些MOSFET器件的小型封裝能容納大量的功率，但不會(huì)產(chǎn)生更多的熱量，所以能夠提升用于液晶電視和等離子電視的SMPS，以及用于照明系統(tǒng)、PC電源、服務(wù)器和電信電源的SMPS應(yīng)用的總體效率。

UniFET II MOSFET系列的初始產(chǎn)品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N溝道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500V，4.5A，1.5?器件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38? (典型值)的RDS(ON)；以及低柵極電荷(典型值9nC)。FDPF8N50NZ則是 500V，8A，0.85?器件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77? (典型值)的RDS(ON)；以及低柵極電荷(典型值14nC)。

這些MOSFET是業(yè)界為數(shù)不多的具有2kV HBM 的穩(wěn)健ESD性能的器件，對(duì)于保護(hù)應(yīng)用設(shè)備避免不利的靜電事件是至關(guān)重要的。

飛兆半導(dǎo)體作為功率電子技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商，將繼續(xù)提供獨(dú)特的功能、工藝和封裝技術(shù)組合以應(yīng)對(duì)電子設(shè)計(jì)的各種挑戰(zhàn)。這些MOSFET都是飛兆半導(dǎo)體全面的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，可為設(shè)計(jì)人員提供寬擊穿電壓范圍(-500V至1000V)、先進(jìn)封裝和業(yè)界領(lǐng)先的FOM因數(shù)，能為任何需要功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用提供高效的功率管理。