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            MOSFET的諧極驅動

            作者: 時間:2012-03-15 來源:網(wǎng)絡 收藏
            5.實驗結果

              按圖4(a)進行實驗 M2驅動管用ZETEX公司的ZXMD63C02X 其N溝道源漏極通態(tài)阻抗為0.13歐,P溝道源漏極通態(tài)阻抗為0.27歐。M1 主開關管用Vishay Sliconix公司的Si7442DP,源漏極通態(tài)阻抗為2.6毫歐,門極阻抗為1.2歐。當LR=470nH時,實驗波形如圖4(b)所示,第一個波形D是功率MOS管的占空比驅動波形,第二個是諧振電感LR的波形,第三個是MOS管源極和柵極的電壓。這些波形和圖3的波形基本一樣。最后一個波形是驅動的損耗,并用選擇不同的電感進行比較得出的結果,選擇合適的諧振電感可以有效降低驅動損耗。

                     
            5 結論
            隨著PWM開關頻率的提高,一個很小的電感可以用在現(xiàn)在的諧振電路上,使得把諧振驅動電路做成集成電路成為可能。而軟開關技術的發(fā)展使得主開關管得開關損耗進一步減小,在小功率的電源中開關管的驅動損耗將會成為不可忽略的損耗之一。要進一步提高電源效率,驅動損耗不能忽略,相信諧振技術將會在驅動芯片中廣泛應用。

            參考文獻
            [1] 楊勇 “如何降低MOSFET的開關損耗”電工技術雜志 1995 (4) 31-33
            [2] S. H. Weinberg, “A novel lossless resonant MOSFET driver,” in Proc.Power Electron. Spec. Conf., 1992, pp. 1003–1010.
            [3] I. D. de Vries, “A resonant power MOSFET/IGBT gate driver,” in Proc.Appl. Power Electron. Conf., 2002, pp. 179–185.
            [4]B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits. New York:McGraw-Hill, 2001, pp. 166–169.
            [5] I Yuhui Chen “A Resonant MOSFET Gate Driver With Efficient Energy Recovery” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS. 2004 2(3) 473-476


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            關鍵詞: DC\DC轉換器 功率MOSFET 脈寬調制 諧振變換器

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