磁集成技術(shù)在不對稱半橋倍流整流變換器中的應(yīng)用
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隨著通信設(shè)備、計算機時鐘頻率的不斷提高，對低壓/大電流輸出的電源要求越來越高。要提高功率密度，就必須減小體積，降低損耗。人們通常采用提高頻率的方法來獲得小型化，但受到磁件特性的限制，高頻化的方法有一定的局限性：一方面，頻率的提高會受到整機效率的限制；另一方面，頻率的提高會帶來磁芯損耗的迅速加大，為了減小磁芯損耗，磁芯高頻工作時一般要降額使用，磁芯利用率降低，限制了磁件體積的減小。為進一步減小磁件的體積和損耗，同時保證變換器性能良好，人們研究了磁集成技術(shù)的應(yīng)用。磁集成技術(shù)就是將變換器的兩個或多個分立磁件繞制在一副磁芯上，從結(jié)構(gòu)上集中在一起。采用磁集成技術(shù)可以減小磁件的體積、重量和損耗，減小電流紋波，改善濾波效果，對提高電源的性能及功率密度有重要意義。
2 電路結(jié)構(gòu)及磁件結(jié)構(gòu)
在研究電路拓撲時，不僅要從電路拓撲方面考慮問題，還要注意將電路拓撲方案與磁件的可能集成方案綜合在一起研究，達到電路結(jié)構(gòu)與磁件結(jié)構(gòu)的最佳組合。
2.1 電路結(jié)構(gòu)
不對稱半橋( Asymmetrical Half Bridge , Asym . HB )倍流整流( Current Doubler Rectifier , CDR )變換器電路如圖1所示。選擇這種電路結(jié)構(gòu)是因為它簡單、高效，并且CDR對減小變壓器的二次繞組的損耗有利。圖1電路中有三個分立磁件（Discrete Magnetics , DM），變壓器T，電感LO1 和LO2 ，本文主要就是應(yīng)用磁集成技術(shù)將這三個磁件集成在一起，從而減小磁件損耗、體積。DM集成后的磁件被稱為集成磁件（Integrated Magnetics , IM ）。
2.2 磁件結(jié)構(gòu)
用源轉(zhuǎn)移等效變換法，給出了IM的變換過程如下：
關(guān)鍵詞：
磁集成技術(shù)
倍流整流
變換器
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