TE的數(shù)據(jù)顯示，8款全的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm--與競(jìng)爭(zhēng)性器件相比降低程度多達(dá)50%。）。

陶航表示，硅質(zhì)地將會(huì)是ESD器件的方向，電容越小，其信號(hào)完整信保護(hù)的越好，TE的現(xiàn)款SESD器件比起聚核PESD的性能更優(yōu)越。其能夠滿足如今的 ‘Thunderbolt’應(yīng)用，甚至適用于4K超高清（UHD）和1/4高清電視（QHD）等仍然處于興起的市場(chǎng)。如果在高電壓ESD 的沖擊情況下，20KV的高電壓額定值可將ESD器件出現(xiàn)短路導(dǎo)致端口永久性失效，或者因靜電放電導(dǎo)致ESD器件開路、暴露下游芯片組從而帶來(lái)?yè)p壞的風(fēng)險(xiǎn)降到最低。

另外的RTP器件分為額定交流應(yīng)用與額定直流應(yīng)用兩種。額定交流應(yīng)用的RTP140R060S器件具有僅為0.7mOhm（典型值）的串聯(lián)電阻、高電壓容量（250VAC）、以及高電流交流中斷額定值（120V交流電壓下為80A）等特色。額定直流應(yīng)用的RTP140R060SD同樣提供了一個(gè)僅為0.7mOhm（典型值）串聯(lián)電阻，并在應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)中能夠于140°C實(shí)現(xiàn)斷開。

圖4顯示了RTP140R060SD的激活過(guò)程。在激活之前，一個(gè)RTP器件能夠承受住3次無(wú)鉛焊料回流焊步驟（最高峰值為260°C）而不會(huì)斷開。與必須在回流焊后才能安裝的徑向引線熱熔斷器不同，RTP器件允許使用標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝生產(chǎn)方法，因此可免去對(duì)一些特殊裝配程序的需求。該器件也可以安裝在雙面板的PCB上。

圖4-1

圖4-2

陶航接著表示，TE Connectivity已設(shè)計(jì)和制造的近50萬(wàn)種產(chǎn)品，能應(yīng)對(duì)各種不同的電路保護(hù)挑戰(zhàn)，其產(chǎn)品可用到消費(fèi)電子、能源、醫(yī)療、汽車、航天以及通迅網(wǎng)絡(luò)等各種行業(yè)中。