在此我們以AVX 貼片鉭電容的TAJ 系列為例，進(jìn)行說明如下：

　　1. 鉭電容的浪涌電壓

　　鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC 國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10 倍額度電壓并高達(dá)30 秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計的依據(jù)，在正常運(yùn)行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

　　不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR，浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍；在85 到125 度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

　　AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應(yīng)力會穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個6 伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時，有一個167 千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓的決不會超過規(guī)定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX 公司推薦降級表總結(jié)額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來增加工作電壓的等效電容器：例如，兩個22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個11μF50V 的一部分。

　　2. 鉭電容的反向電壓

　　AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：

　　在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓反向電壓值均以鉭電容在任何時間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。

　　在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會出現(xiàn)兩個類似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個標(biāo)稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級的設(shè)計蓋小級別游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

　　3. 鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓

　　這是最大的r.m.s.交流電壓；疊加一個特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓。

　　4. 鉭電容的成型電壓

　　這是在陽極氧化形成的電壓。 “這個氧化層的厚度是形成電壓成正比一個電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個因素。