本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù)，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器，是業(yè)界最小※的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護(hù)功能和品質(zhì)要求，可減少設(shè)計(jì)時(shí)的工作量。

不僅如此，還支持作為新一代功率半導(dǎo)體備受期待的SiC（Silicon carbide：碳化硅）的功率MOSFET的高速開關(guān)，非常有助于實(shí)現(xiàn)更加高效、更加低功耗的新一代電動(dòng)汽車。

生產(chǎn)基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國(guó)），預(yù)計(jì)從2012年6月份開始銷售樣品（樣品價(jià)格：1,000日元），從2012年9月份開始以月產(chǎn)1萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。

※　根據(jù)羅姆的調(diào)查（截至2012年5月22日）

近年來(lái)，隨著EV和HEV的不斷普及，為了進(jìn)一步提高性能，對(duì)動(dòng)力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面，一般每個(gè)車載用逆變器內(nèi)置6個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器，為了實(shí)現(xiàn)逆變器電路的小型化，柵極驅(qū)動(dòng)器的小型化勢(shì)在必行。此外，在車載特有的苛刻的驅(qū)動(dòng)環(huán)境中，為實(shí)現(xiàn)確保安全性的逆變器電路，不僅需要各種保護(hù)功能，為了防止駕駛員觸電，作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件。在這種情況下，對(duì)于內(nèi)置絕緣元件、并且小型的柵極驅(qū)動(dòng)器的需求日益高漲。

另一方面，有望內(nèi)置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時(shí)，解決其高速開關(guān)性能所導(dǎo)致的噪音也已成為重大課題。

此次羅姆采用獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)加工技術(shù)，開發(fā)出片上變壓器工藝，進(jìn)而成功開發(fā)出小型并且內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器。無(wú)需外置零件，同時(shí)通過(guò)采用小型封裝，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，安裝面積減少了約50％。不僅如此，由于內(nèi)置車載逆變器電路所需的全部保護(hù)功能，不僅有助于實(shí)現(xiàn)逆變器的小型化，還非常有助于減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

另外，針對(duì)逆變器電路中內(nèi)置SiC元件、模塊時(shí)的噪音，通過(guò)與引以為豪的“業(yè)界最尖端”的羅姆自產(chǎn)SiC元件、模塊相結(jié)合進(jìn)行開發(fā)，以最佳的電路設(shè)計(jì)成功解決了這個(gè)問(wèn)題，從而成為業(yè)界唯一支持SiC的內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器。

羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位，于2012年3月世界首家開始了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)。今后，羅姆繼續(xù)推進(jìn)最大限度發(fā)揮SiC特性的柵極驅(qū)動(dòng)器的開發(fā)，同時(shí)，還將推進(jìn)SiC-IPM（智能功率模塊）等的開發(fā)，不斷完善SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容。

＜特點(diǎn)＞

1） 通過(guò)羅姆獨(dú)創(chuàng)的無(wú)鐵芯變壓器技術(shù)，內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件

2） 小型封裝

與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，SSOP-B20W（6.5mm×8.1mm　H＝Max 2.01mm）將安裝面積減少了50％以上

3） 通過(guò)內(nèi)置所有的保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)

內(nèi)置了車載逆變器電路所要求的全部保護(hù)功能：米勒鉗位功能、故障輸出功能、低電壓時(shí)誤動(dòng)作防止功能、熱保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、短路保護(hù)時(shí)軟關(guān)斷功能。

《主要規(guī)格》

4） 還支持SiC的高速開關(guān)

業(yè)界唯一支持SiC元件電路的產(chǎn)品。羅姆生產(chǎn)的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態(tài)下確保穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

?IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的簡(jiǎn)稱）

絕緣柵雙極晶體管。在柵極構(gòu)建了MOSFET的雙極晶體管。

?MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡(jiǎn)稱)

金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最被普遍使用的結(jié)構(gòu)。作為開關(guān)元件使用。