具有高溫工作能力的1700V SPT+ IGBT和二極管芯片組
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時(shí)間：2012-05-25
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（b）
圖16反向阻斷過(guò)程中普通二極管（a）和FSA二極管（b）的摻雜濃度及阻斷態(tài)相關(guān)電場(chǎng)分布草圖
圖17Tj=175℃時(shí)1700V FSA二極管反向恢復(fù)SOA
5 結(jié)論和展望
本文介紹了ABB公司高溫工作的新型1700V SPT+ IGBT和二極管芯片組。為工作在較大寄生電感和多重并聯(lián)條件下工作，對(duì)芯片組進(jìn)行了優(yōu)化，并且有卓越的靜態(tài)和開(kāi)關(guān)表現(xiàn)。當(dāng)新芯片組用在Tj=150℃條件下工作的1700V 3600A HiPak2封裝中時(shí)，也顯示出低的總功耗和軟的電流瞬態(tài)。
為使結(jié)工作溫度能夠進(jìn)一步拓展到Tj=175℃，還討論到了IGBT鈍化過(guò)程中的進(jìn)一步優(yōu)化和新型二極管陽(yáng)極概念。
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