圖2：在三種環(huán)境中對(duì)線圈和相關(guān)通量場(chǎng)進(jìn)行建模：在具有確定通量場(chǎng)的自由空間中的線圈（a），因渦流損耗而減少了通量場(chǎng)的、靠近金屬表面的線圈（b），在線圈和金屬之間有FFDM的、靠近金屬的線圈（c）。后者顯示了顯著改進(jìn)的通量場(chǎng)性能。

　　在典型的EMIC-WP系統(tǒng)配置中，移動(dòng)設(shè)備在進(jìn)入初級(jí)線圈通量場(chǎng)時(shí)，使用FFDM優(yōu)化接收線圈感應(yīng)（圖3）。使用FFDM可以增強(qiáng)初級(jí)線圈通量場(chǎng)，并確保組件的其它部分具有明確的通量場(chǎng)和低損耗。接收線圈的FFDM可以優(yōu)化經(jīng)過(guò)線圈的通量場(chǎng)，從而建立高度的感應(yīng)耦合效果。

　　圖3：典型EMIC-WP系統(tǒng)裝置中的移動(dòng)設(shè)備在進(jìn)入初級(jí)線圈通量場(chǎng)時(shí)，使用FFDM優(yōu)化接收線圈感應(yīng)

　　EMIC-WP系統(tǒng)可以采用單個(gè)線圈或多個(gè)線圈進(jìn)行設(shè)計(jì)，以簡(jiǎn)化在初級(jí)線圈表面上的器件定位，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的充電周期。FFDM可以與兩種系統(tǒng)一起使用，并且可以根據(jù)磁導(dǎo)率、厚度、多層設(shè)計(jì)、材料組合、幾何形狀等改變實(shí)現(xiàn)。所有措施都是為了優(yōu)化通量場(chǎng)路徑特性和能量傳輸效率。

　　許多FFDM在其他移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用中也很有用，例如：近場(chǎng)通信（NFC）或射頻標(biāo)簽（RFID）應(yīng)用。與EMIC-WP能量通量場(chǎng)不同，NFC/RFID應(yīng)用具有初級(jí)（發(fā)送）和接收線圈（或天線），用于發(fā)送數(shù)據(jù)通量場(chǎng)。FFDM可以用來(lái)提高線圈效率，改善距離和誤碼率方面的通信性能。

　　FFDM還可以用于許多電子設(shè)備中因電流流動(dòng)產(chǎn)生的低頻磁噪聲的EMI屏蔽應(yīng)用。FFDM能夠與流動(dòng)電流產(chǎn)生的輻射磁通量場(chǎng)發(fā)生交互，并改變其方向，從而保護(hù)其它器件、系統(tǒng)線路或相鄰元器件免受流動(dòng)電流磁通量場(chǎng)的影響。