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            IPM自舉電路設計過程中的關鍵問題研究

            作者: 時間:2013-01-17 來源:網(wǎng)絡 收藏
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              由上述分析可知,本項目采用的自舉電容初始充電的方法簡單實用,在實際項目應用中取得良好的效果。

              本文分析了自舉電路的基本原理,并在此基礎上,通過實際項目,介紹了自舉電路各元器件的選型,通過將初始充電控制程序放在PWM更新函數(shù)中,保證了充電的實時性,在應用中取得了良好的驅動效果,為自舉電容的初始充電提供了一個簡單實用可靠的方案??傊诶碚撝笇У幕A上,使得控制算法和硬件參數(shù)緊密相關,并在實際系統(tǒng)反復調試并最終確定參數(shù),以便最大程度地保證電路的可靠性。

              參考文獻

             ?。?] 李正中,孫德剛。高壓浮動MOSFET柵極驅動技術[J]。通信電源技術,2003(3):37-40.

             ?。?] ?ZKILIC M C.HONSBERG M,RADKE T.A novel intelligent power module() in a compact transfer mold package with new high voltage integrated circuit(HVIC) and integrated bootstrap diodes[C].IEEE 14th International Power Electronics and Motion Control Conference,EPE-PEMC 2010.

              [3] PARL S,JAHNS T.M.A self boost charge pump topology for a gate drive high-side power supply[J].IEEE Trans. on Power Electronics,2005,20(2):300-307.

              [4] ALI R,DAUT I,TAIB S,et al.Design of high-Side MOSFET driver using discrete components for 24 Voperation[J].IEEE The 4th International Power Engineering and Optimization Conference.(PEOCO2010),Shah Alam,Selangor,MALAYSIA: 23-24 2010.

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            關鍵詞: IPM 自舉電路設計

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