圖12：逆變器產生的電磁噪聲

　　逆變器會產生電磁噪聲（a）。據芝浦工業(yè)大學的齋藤研究室介紹，采用GaN類功率元件時，在10MHz以上的高頻范圍，電磁噪聲要比超結構造的Si制MOSFET?。╞、c）。（圖由本站根據芝浦工業(yè)大學和三墾電氣的資料制作）

　　GaN類功率元件的這種高頻噪聲比超結構造的MOSFET“更容易減小”（芝浦工業(yè)大學工學部電氣工學科講師齋藤真）。不過，與IGBT相比，“10M～100MHz頻帶的傳導噪聲和電磁輻射噪聲會增大至10～20dB左右”（齋藤）。

　　因此，齋藤等人試制了在采用1級構成的同時可抑制10MHz以上傳導噪聲的濾波器電路。增加濾波器電路的級數可抑制高頻噪聲，但只單純增加級數的話效率會下降。

　　齋藤等試制的濾波器在采用1級構成的同時，可將高頻噪聲降至與原來的2級構成濾波器相同的水平（圖13）。也就是說，可將10M～100MHz頻帶產生的電磁噪聲降至10dB左右。

圖13：改善噪聲濾波器，降低高頻噪聲

　　逆變器為降低電磁噪聲采用噪聲濾波器（a）。GaN類功率元件由于開關速度快，容易產生10MHz以上的高頻噪聲。芝浦工業(yè)大學的齋藤通過改變逆變器輸入側設置的噪聲濾波器的設計，在采用1級濾波器構成的同時，實現(xiàn)了與原來的2級構成濾波器大致相同的噪聲抑制性能（b ）。（圖由本站根據芝浦工業(yè)大學的資料制作）

　　齋藤沒有公布詳情，不過介紹說是通過改善電容器的配置位置等電路布局，以及改變使用的部件種類實現(xiàn)的。另外，為降低電磁噪聲，還在與部件廠商共同開發(fā)濾波器使用的新扼流線圈。

　　第三，應對無意識導通現(xiàn)象的對策。GaN類晶體管的閾值電壓為＋2V左右，低于Si制晶體管，極有可能在無意識的情況下導通。

　　例如，驅動3相交流馬達的逆變器在某一個相的電路打開時，處于關閉狀態(tài)的其他相的柵極驅動電路有時會產生尖峰（Spike）電壓。Si制功率元件的閾值電壓高達＋3V以上，因此通過該尖峰電壓導通的可能性較低，但“GaN類晶體管的閾值電壓較低，可能會發(fā)生誤動作”（芝浦工業(yè)大學的齋藤）。因此，需要比Si制功率元件更為謹慎地實施尖峰電壓對策。關于該課題，齋藤也表示“已經有了解決的眉目”。