在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            新聞中心

            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應用 > 驅(qū)動器UCC27201上電時刻HO引腳誤脈沖的分析

            驅(qū)動器UCC27201上電時刻HO引腳誤脈沖的分析

            作者: 時間:2013-09-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            摘要

            在隔離DC/DC電源中經(jīng)常會使用到帶浮地功能的雙通道驅(qū)動器。實際應用發(fā)現(xiàn),某些場景中,其HO引腳會在上電時刻產(chǎn)生。該導致系統(tǒng)有開機異常的風險。本文通過實際仿真和電路原理分析,詳細介紹了產(chǎn)生的機理,隨后提供了兩個針對該誤脈沖的解決方案,并給予了詳細解釋。

            1、隔離電源系統(tǒng)設(shè)計

            某隔離電源系統(tǒng)完成DC/DC的轉(zhuǎn)換,采用全橋拓撲,輸出電壓為12V。其中,全橋的原邊側(cè)驅(qū)動器就采用了,共計兩顆。

            1.1隔離電源系統(tǒng)簡述

            該隔離電源系統(tǒng)完成寬范圍輸入電壓(36V~72V)到12V的轉(zhuǎn)換,輸出功率350W。系統(tǒng)采用帶同步整流功能的硬開關(guān)全橋拓撲(HSFB)。圖1所示的是該系統(tǒng)的方框圖,包含有主控芯片LM5035,置于原邊側(cè)的驅(qū)動器,置于副邊側(cè)的驅(qū)動器UCC27324等器件。

            1:隔離電源系統(tǒng)框圖

            1.2UCC27201的應用

            UCC27201是帶有浮地功能的MOSFET驅(qū)動器,具有高端輸出和低端輸出兩個通道,可以應用于BUCK,半橋和全橋等拓撲。該芯片引腳的描述如下:

            ●VDD(Pin1):供電引腳,范圍是8V~17V,典型值為12V;

            ●VSS(Pin7):芯片地引腳;

            ●HI,LI(Pin5,Pin6):高端驅(qū)動輸入和低端驅(qū)動輸入;

            ●HO,LO(Pin3,Pin8):高端驅(qū)動輸出和低端驅(qū)動輸出;

            ●HB,HS(pin2,pin4):浮地供電和浮地引腳,用于高端驅(qū)動供電;

            如圖2,在本電源系統(tǒng)中,一顆UCC27201的兩路輸出驅(qū)動全橋同一側(cè)橋臂的兩個MOSFET,主要連接網(wǎng)絡(luò)標示如藍色字體。另一顆UCC27201的兩路輸出則是驅(qū)動全橋的另一側(cè)橋臂。

            2:驅(qū)動器UCC27201的實際應用

            采用上述應用電路的實際驅(qū)動信號見圖3,包括了軟啟動和正常運行等兩個階段。

            在軟啟動階段,標示為Q1MOSFET的驅(qū)動信號占空比遠小于50%,而Q2的驅(qū)動信號占空比則是超過了50%,與Q1的驅(qū)動信號占空比保持為互補關(guān)系。Q3Q4驅(qū)動信號的關(guān)系同上。

            在正常運行階段,Q1~Q4的驅(qū)動信號占空比全部都接近50%。相互之間的關(guān)系如圖3所示,即Q1Q2保持互補,Q3Q4保持互補。

            3:全橋驅(qū)動信號

            2UCC27201HO引腳的誤脈沖及根因分析

            實際應用中,由于不同的UCC27201的供電電壓設(shè)計有差異,當其Cboot電容充電過快時,HO引腳會出現(xiàn)誤脈沖。該誤脈沖的根因是Cboot過快的上電電壓耦合到了HO引腳,同時過快的上電速率導致芯片內(nèi)部對HO管腳下拉的MOSFET不能及時導通,最終造成了HO引腳輸出誤脈沖。

            2.1HO引腳的誤脈沖

            實際測試上述電源系統(tǒng)時發(fā)現(xiàn),開機時UCC27201HO引腳有誤脈沖,如圖4CH1HO;CH4HBHS的差分電壓,亦即Cboot電容兩端的電壓;CH2LO;CH3可忽略)。該誤脈沖幅度最大可超過7V,與LO交疊后會造成全橋高端MOSFET和低端MOSFET的共通,進而導致系統(tǒng)開機存在風險。

            4HO引腳的誤脈沖

            2.2HO引腳誤脈沖的根因分析

            5所示的是UCC27201內(nèi)部與HO相關(guān)的電路。在HBHS之間電壓正常建立后,邏輯電路會依據(jù)HI電平的高或低而打開QaQb,從而實現(xiàn)HO高低電平的輸出。Qc是當HBHS之間電壓還處于欠壓階段時,用以導通以拉低HO引腳,確保在該階段HO無輸出。

            5HO相關(guān)的內(nèi)部電路

            HBHS間電壓還處于欠壓階段時,內(nèi)部電路會產(chǎn)生高電平驅(qū)動信號以導通Qc。但是,該高電平驅(qū)動信號的產(chǎn)生存在一定的延時;同時,Qc設(shè)計用來被脈沖信號觸發(fā),而非電平信號觸發(fā)。上述兩個因素就造成,當HBHS間電壓上升過快時Qc將不能及時導通。此時,如果HOHBHS間電壓耦合出高電平后(其中一個耦合途徑是通過QaQb的結(jié)電容),因Qc還未導通,該耦合出的高電平將得以輸出,最終形成了HO的誤脈沖。

            如果HBHS間電壓上升速率變緩,或者HBHS間電壓先得以預建立,Qc的驅(qū)動信號(圖6中的藍色線和紅色線)的高電平脈沖將會變寬,這就能保證Qc導通,誤脈沖就會被消除。

            下文就圍繞HBHS間電壓的上升斜率和預建立這兩個方向來討論,以解決HO的誤脈沖問題。

            6HBHS電壓斜率不同的影響

            3、解決措施之增大Cboot電容

            在相同充電速率條件下,增大Cboot電容可以將HBHS之間的電壓上升斜率變緩,以得到足夠?qū)挼母唠娖叫盘柌⑹?/FONT>Qc導通。

            3.1Cboot充電過程分析

            如圖7所示,UCC27201內(nèi)部有二極管(D1)連接Pin1VDD)和Pin2HB)。在Pin1的外部連接有供電網(wǎng)絡(luò)(電壓為12V),電容Cd1uF)和串聯(lián)電阻Ri10ohm);在Pin2則接有Cboot電容。Cboot電容的充電主要是通過D1這條路徑完成的。

            經(jīng)過仿真分析(如圖8)知,Cboot的充電主要包含如下兩個階段:

            ●階段一:電容Cd通過D1Cboot充電。充電電流如圖8中的紅色線所示,先是急劇上升到最大,然后緩慢下降。同時,電容Cd的電壓(綠色線)逐漸下降,電容Cboot的電壓(粉色線)逐漸上升。當CdCboot的壓差減小為約0.65V(二極管D1的正向?qū)▔航担r,第一階段結(jié)束。

            ●階段二:12V供電電壓給CdCboot充電。受限于Ri,充電電流將小于1.2A12V/10ohm)。

            8中的仿真結(jié)果是基于Cboot300nF,圖9的仿真結(jié)果則是基于Cboot100nF。對比二者知,修改Cboot電容容量所帶來的主要影響是第一個充電階段的持續(xù)時間,分別約為280ns120ns。下節(jié)會分析第一階段持續(xù)時間不同可能會帶來的風險。

            10給出的是實測波形,其中CH1LO的波形;CH2HB-HS的波形;CH3HO的波形,CH4VDD的電壓波形。可以看到,在UCC27201上電后,VDD電壓快速下降,然后又緩慢上升,這與仿真結(jié)果一致。

            7Cboot電容充電電路圖8Cboot300nF時的仿真結(jié)果

            9Cboot100nF時的仿真結(jié)果圖10:充電過程的實測波形

            3.2增大Cboot電容的風險分析

            UCC27201的實際應用中,需要注意內(nèi)部二極管D1的反向恢復應力。

            LO的輸出由高變低后,HS電壓會升高,HB電壓同樣也會升高,此時內(nèi)部二極管將承受反壓,并承受隨后出現(xiàn)的反向恢復應力。如果反向恢復應力出現(xiàn)之前時刻的二極管正向?qū)娏鞒鲱~定范圍,反向恢復應力則會過大而導致二極管失效。UCC27201要求內(nèi)部二極管承受反向恢復應力前的正向?qū)娏髟?/FONT>2A以下。

            在該電源系統(tǒng)中,將Cboot修改為300nF后,二極管正向電流在約280ns后降低到2A。而在開機的第一個周期內(nèi),下管的持續(xù)時間超過了3us(如圖11CH1CH2是全橋兩個下管的驅(qū)動信號),即3us之后內(nèi)部二極管才會有反向恢復應力,由于此時正向?qū)娏饕呀?jīng)遠低于2A,二極管無可靠性風險。因此,修改Cboot容值到300nF后二極管不會有失效風險。

            11:開機時刻全橋下管的驅(qū)動波形

            4、解決措施之Cboot電容預充電

            Cboot電容預充電,可以提前產(chǎn)生驅(qū)動信號以確保內(nèi)部Qc導通。當系統(tǒng)發(fā)波后,LO變高會產(chǎn)生充電路徑而使Cboot快速充電,但由于此時內(nèi)部Qc已經(jīng)導通,HO將不會產(chǎn)生誤脈沖。

            4.1預充電電路

            如圖12所示,增加一顆電阻RL后即可形成預充電電路。當UCC2720112V建立后,在系統(tǒng)未發(fā)波前,12V電壓可以通過路徑Ri->D1->Cboot->RLCboot充電。

            經(jīng)仿真知,當對Cboot電容預充電至1V左右,內(nèi)部Qc就會導通。于是,隨后的快速充電將不會再在HO引腳產(chǎn)生誤脈沖。根據(jù)12V建立到系統(tǒng)發(fā)波之間的延時時間,可以計算合適的RL值,以保證Cboot預充電至1V以上。

            12Cboot電容的預充電電路

            4.2新增電阻的阻值計算

            假設(shè)延時時間為1ms,根據(jù)如下RC充電公式,可知RL約為114Kohm。

            12Vx[1–exp(-1ms/RL*Cboot)]=1.0V

            考慮到系統(tǒng)正常運行后,全橋上管導通時,電阻RL存在一定的損耗。最惡劣條件下(高壓輸入)的損耗計算如下:0.5x(72V*72V)/100K=0.026W

            綜上可知,實際應用中,可以選取阻值為114K,封裝為0603以上的電阻,只要延時時間不少于1ms,就可以確保HO引腳無誤脈沖輸出。

            5、總結(jié)

            UCC27201的實際使用中,如果Cboot電容充電速率過快,則會在HO引腳產(chǎn)生誤脈沖。通過對誤脈沖產(chǎn)生機理的分析可知,通過增大Cboot電容的容量或者在HS引腳增加一顆連接到地的電阻,都可以有效的解決該問題,而且上述兩個方法都不會對系統(tǒng)帶來額外的可靠性風險。

            但需要注意的是,在采用上述兩種方案前都需要仔細評估,以確定當前應用條件下,上述方案不會帶來風險??梢匝?FONT face=Arial>TI工程師共同參與該評估過程。

            6、參考資料

            1.UCC27201datasheet,TexasInstrumentsInc.,2008

            2.LM5035datasheet,TexasInstrumentsInc.,2013

            隔離器相關(guān)文章:隔離器原理
            脈沖點火器相關(guān)文章:脈沖點火器原理


            關(guān)鍵詞: UCC27201 誤脈沖 隔離器

            評論


            相關(guān)推薦

            技術(shù)專區(qū)

            關(guān)閉