1.由于晶閘管的電壓參數(shù)下降或線路產(chǎn)生的過(guò)電壓超過(guò)其額定值造成其絕緣強(qiáng)度相對(duì)降低，因此發(fā)生啟弧放電現(xiàn)象，而弧光的溫度是非常高的，遠(yuǎn)大于芯片各金屬的熔點(diǎn)，因此燒毀晶閘管，又由于芯片外圓邊緣、芯片陰極-陽(yáng)極表面之間的絕緣電壓強(qiáng)度不是完全一致的，只有在相對(duì)絕緣電壓較低的那點(diǎn)啟弧放電，因此電壓擊穿表現(xiàn)為在芯片陰極表面或芯片的邊緣有一小黑點(diǎn)。

　　2.由于晶閘管的電流、dv/dt、漏電、關(guān)斷時(shí)間、壓降等參數(shù)下降或線路的原因造成其芯片溫度過(guò)高，超過(guò)結(jié)溫，造成硅片內(nèi)部金屬格式發(fā)生變化，引起其絕緣電壓降低，因此發(fā)生啟弧放電現(xiàn)象，弧光產(chǎn)生的高溫將墊片、硅片、鉬片熔化、燒毀，同時(shí)也會(huì)將外殼與芯片相連的金屬熔化。由于芯片溫度過(guò)高需要較長(zhǎng)的時(shí)間，是慢慢積累起來(lái)的，因此超溫的面積是較大的，燒壞的面積也是較大的。

　　3.由于di/dt、開(kāi)通時(shí)間燒壞的晶閘管雖然也是一小黑點(diǎn)，但燒壞的位置與真正的電壓擊穿是不同的，其燒壞的機(jī)理與上面2所述的是一樣的，只是由于芯片里面的小可控硅比較小，所以形成的燒毀痕跡亦較小，實(shí)際是已經(jīng)將小可控硅完全燒毀了。

　　綜上所述，無(wú)論什么原因燒壞晶閘管，最終都是由于晶閘管絕緣電壓相對(duì)降低，然后啟弧放電，產(chǎn)生高溫，使晶閘管芯片金屬甚至外殼金屬熔化，致使晶閘管短路，損壞。