美國KP101對比OZ8022V

對比1)：CBB電容：KP101采用154//104，OZ8022V采用154//154，此電容影響150KHZ位置的值，CBB電容越大，

150KHZ 處的余量越大。對比結(jié)論：如果采用同等大小的 CBB 電容，兩個方案此處余量相當(dāng)，但是 CBB 電容增大會

影響電源的PF值，測試結(jié)果KP101 PF值0.95，OZ8022V PF值0.92.

2)EMI 電感:KP101 采用 2 個 1.5mH 的差模電感，OZ8022V 采用兩個 4.4mH 差模電感，此時 250K-1.5MHZ 處余量兩

者相當(dāng)。利弊分析：感量增大，同等磁芯的情況下電感線徑變細(xì)，容易造成電感的飽和，低壓功率增加，發(fā)熱嚴(yán)重。

可能造成炸機。

3)PCB—layout：OZ8022V 對線路依賴比較大，高低壓恒流效果差，需依靠RC 電路進行調(diào)節(jié)。COMP 腳需要增加小

MOS，否則短路時恢復(fù)電流可能不正常，有可能造成炸機。KP101不需要這些器件外圍相對簡單很多。

對比4)上圖可見：KP101余量大于0Z8022V。

對比5)測試結(jié)果表明：同樣在輸出72V235mA條件下，KP101效率為93%，OZ8022V效率91.2%，KP101效率比OZ8022V高1-2%.

對比 6)開路短路測試：KP101 開路短路是直接鎖死 VCC 電壓，當(dāng)輸出電壓高于或低于門限電壓時，VCC 鎖死。測試表明：開路短路功率保持在 0.5W 左右。短路恢復(fù)時 VCC 重啟工作，可自恢復(fù)，開路時不能自恢復(fù)，需要手動重啟電源。