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            多晶硅太陽能電池制作工藝概述

            作者: 時間:2013-12-15 來源:網絡 收藏
            62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">電子束蒸發(fā)和電鍍

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/227508.htm

            通常,應用正膠剝離工藝,蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極,要減小金屬電極所引起的串聯(lián)電阻,往往需要金屬層比較厚(8~10微米)。缺點是電子束蒸發(fā)造成硅表面/鈍化層介面損傷,使表面復合提高,因此,工藝中,采用短時蒸發(fā)Ti/Pa層,在蒸發(fā)銀層的工藝。另一個問題是金屬與硅接觸面較大時,必將導致少子復合速度提高。工藝中,采用了隧道結接觸的方法,在硅和金屬成間形成一個較薄的氧化層(一般厚度為20微米左右)應用功函數較低的金屬(如鈦等)可在硅表面感應一個穩(wěn)定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。另外一種方法是在鈍化層上開出小窗口(小于2微米),再淀積較寬的金屬柵線(通常為10微米),形成mushroom—like狀電極,用該方法在4cm2 Mc-Si上電池的轉換效率達到17.3%。目前,在機械刻槽表面也運用了Shallow angle (oblique)技術。1.3 PN結的形成技術

            [1]發(fā)射區(qū)形成和磷吸雜

            對于高效電池,發(fā)射區(qū)的形成一般采用選擇擴散,在金屬電極下方形成重雜質區(qū)域而在電極間實現淺濃度擴散,發(fā)射區(qū)的淺濃度擴散即增強了電池對藍光的響應,又使硅表面易于鈍化。擴散的方法有兩步擴散工藝、擴散加腐蝕工藝和掩埋擴散工藝。目前采用選擇擴散,15×15cm2電池轉換效率達到16.4%,n++、n+區(qū)域的表面方塊電阻分別為20Ω和80Ω。

            對于Mc—Si材料,擴磷吸雜對電池的影響得到廣泛的研究,較長時間的磷吸雜過程(一般3~4小時),可使一些Mc—Si的少子擴散長度提高兩個數量級。在對襯底濃度對吸雜效應的研究中發(fā)現,即便對高濃度的襯第材料,經吸雜也能夠獲得較大的少子擴散長度(大于200微米),電池的開路電壓大于638mv, 轉換效率超過17%。

            [2]背表面場的形成及鋁吸雜技術

            在Mc—Si電池中,背p+p結由均勻擴散鋁或硼形成,硼源一般為BN、BBr、APCVD SiO2:B2O8等,鋁擴散為蒸發(fā)或絲網印刷鋁,800度下燒結所完成,對鋁吸雜的作用也開展了大量的研究,與磷擴散吸雜不同,鋁吸雜在相對較低的溫度下進行。其中體缺陷也參與了雜質的溶解和沉積,而在較高溫度下,沉積的雜質易于溶解進入硅中,對Mc—Si產生不利的影響。到目前為至,區(qū)域背場已應用于單晶硅電池工藝中,但在中,還是應用全鋁背表面場結構。

            [3]雙面Mc—Si電池

            Mc—Si雙面電池其正面為常規(guī)結構,背面為N+和P+相互交叉的結構,這樣,正面光照產生的但位于背面附近的光生少子可由背電極有效吸收。背電極作為對正面電極的有效補充,也作為一個獨立的栽流子收集器對背面光照和散射光產生作用,據報道,在AM1.5條件下,轉換效率超過19%。1.4 表面和體鈍化技術

            對于Mc—Si,因存在較高的晶界、點缺陷(空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物)對材料表面和體內缺陷的鈍化尤為重要,除前面提到的吸雜技術外,鈍化工藝有多種方法,通過熱氧化使硅懸掛鍵飽和是一種比較常用的方法,可使Si-SiO2界面的復合速度大大下降,其鈍化效果取決于發(fā)射區(qū)的表面濃度、界面態(tài)密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化效果更加明顯。采用PECVD淀積氮化硅近期正面十分有效,因為在成膜的過程中具有加氫的效果。該工藝也可應用于規(guī)?;a中。應用Remote PECVD Si3N4可使表面復合速度小于20cm/s。

            2. 工業(yè)化電池工藝

            太陽電池從研究室走向工廠,實驗研究走向規(guī)?;a是其發(fā)展的道路,所以能夠達到工業(yè)化生產的特征應該是:

            [1]電池的制作工藝能夠滿足流水線作業(yè);

            [2]能夠大規(guī)模、現代化生產;

            [3]達到高效、低成本。

            當然,其主要目標是降低太陽電池的生產成本。目前電池的主要發(fā)展方向朝著大面積、薄襯底。例如,市場上可見到125×125mm2、150×150mm2甚至更大規(guī)模的單片電池,厚度從原來的300微米減小到目前的250、200及200微米以下。效率得到大幅度的提高。***京磁(Kyocera)公司150×150的電池小批量生產的光電轉換效率達到17.1%,該公司1998年的生產量達到25.4MW。

            絲網印刷及其相關技術

            電池的規(guī)?;a中廣泛使用了絲網印刷工藝,該工藝可用于擴散源的印刷、正面金屬電極、背接觸電極,減反射膜層等,隨著絲網材料的改善和工藝水平的提高,絲網印刷工藝在太陽電池的生產中將會得到更加普遍的應用。

            發(fā)射區(qū)的形成

            利用絲網印刷形成PN結,代替常規(guī)的管式爐擴散工藝。一般在多晶硅的正面印刷含磷的漿料、在反面印刷含鋁的金屬漿料。印刷完成后,擴散可在網帶爐中完成(通常溫度在900度),這樣,印刷、烘干、擴散可形成連續(xù)性生產。絲網印刷擴散技術所形成的發(fā)射區(qū)通常表面濃度比較高,則表面光生載流子復合較大,為了克服這一缺點,工藝上采用了下面的選擇發(fā)射區(qū)工藝技術,使電池的轉換效率得到進一步的提高。


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