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            教你如何選擇最優(yōu)的190W纖薄PFC電源段方案

            作者: 時間:2013-12-25 來源:網(wǎng)絡 收藏

            大多數(shù)功率因數(shù)校正(PFC)電源段采用臨界導電模式(CrM)工作,這種模式控制電感電流從零躍升至期望的峰值電平,然后又降至零。由于這種模式依賴于電流周期的時長,故開關頻率以交流線路電流需求的函數(shù)形式變化。不利的是,功率需求較低時,從交流線路流入的電流較小,開關頻率“飆升”。這樣一來,采用大電感就是將開關損耗和干擾降到可接受水平的唯一方式。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/227256.htm

            頻率鉗位臨界導電模式(FCCrM)是安森美半導體NCP1606或NCP1631等控制器嵌入的一種技術。采用這種模式工作時,在高負載條件下,功率因數(shù)校正段以CrM工作,但在中等負載/輕載條件下( ),限制開關頻率以提升能效。與傳統(tǒng)CrM電路相比,F(xiàn)CCrM支持使用更小的電感。實際上,交錯式FCCrMPFC似乎進一步縮減了磁性元件的尺寸及成本。這些優(yōu)勢在低高度電源中得以展現(xiàn)。

            本文基本技術上進一步推進研究,在相同的寬主電源輸入范圍、最大厚度13mm的應用中探究總體PFC成本問題。

            電感考慮事項表1提出了主要結論。由于FCCrM鉗位開關頻率,就不需要大電感來拉低CrM開關頻率范圍。因此,F(xiàn)CCrM大幅減小PFC段電感尺寸,采用交錯式FCCrM方案時尤為如此。事實上,如表1所述,可以選擇下述磁性元件用于(輸入功率)、寬主電源范圍、最大厚度13 mm的電視應用:

            ?CrM方案:兩個EFD30串聯(lián)

            ?FCCrM方案:單個EFD30

            ?交錯式FCCrM方案:兩個EFD20(每個支路一個)

            教你如何選擇最優(yōu)的190W纖薄PFC電源段方案

            橫向比較

            下一步,為了比較不同方案,我們以300W的46英寸液晶電視電源參考板作實驗來比較這三種PFC方案。此參考板由安森美半導體開發(fā),嵌入了由NCP1631驅動的FCCrM交錯式PFC。我們利用這電路板來比較我們190 W應用的三種方案。由于本應用中集成的電感與表1中定義的電感不同(本應用中原線圈尺寸針對的是300 W功率),首要修改此應用,確保能夠使用2個EFD20元件。第二步, 動態(tài)地調節(jié)電路,測試CrM和FCCrM單相方案。就每項測試而言,PFC段的設計要使得三種方案的能效保持在接近相同的水平。

            在圖1中,我們可以看到采用調整后的交錯式配置的電路板,這可從兩個“飛跨”(flying)電感得到證實;圖2顯示的則是如何應用CrM控制器,而非原有的NCP1631交錯式驅動器。

            教你如何選擇最優(yōu)的190W纖薄PFC電源段方案

            教你如何選擇最優(yōu)的190W纖薄PFC電源段方案各種方案參數(shù)對比

            不同的方案中,電感并不必然是唯一需要修改的元件。PFC段必須根據(jù)所測試的方案來調整。表2小結了構建這三種方案使用的經過了實際測試驗證的主要設計指引。

            教你如何選擇最優(yōu)的190W纖薄PFC電源段方案

            交錯式PFC包含兩個支路,每個支路各傳輸總功率的50%。因此,這種方案采用的元器件數(shù)量更多,但尺寸更小。為了簡單起見,這里就不具體的交錯式設計準則。但如參考資料[5]中所詳細介紹的,交錯式技術能夠優(yōu)化下列元器件:

            -功率MOSFET:在每個支路,MOSFET均方根(rms)電流僅為單相CrM或FCCrM PFC段中使用的11A MOSFET的電流的一半。兩顆5A MOSFET替代了11A MOSFET。

            -升壓二極管:同樣,每個支路的升壓二極管傳輸?shù)碾娏魇强傠娏鞯囊话搿R虼耍鱾€支路就有可能使用較小的MUR160。

            -大電容:交錯式方案迫使兩個支路異相(out-of-phase)工作,旨在大幅降低大電容的均方根電流(降至0.8A而非1.3A)。這樣,就可能使用2個39μF/450V電容,而非3個。


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            關鍵詞: 190W 纖薄 PFC電源

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