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            分享:從基本到完善的RCC電路原理介紹及問題探討

            作者: 時(shí)間:2013-12-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            em; line-height: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">5.如果在集電極有較大電流時(shí)使用其他方法導(dǎo)致基極電流不足,也可以觸發(fā)正反饋機(jī)制關(guān)斷晶體管Tr1。這一特點(diǎn)常用于實(shí)現(xiàn)電流限制和穩(wěn)壓。(即在電流或電壓過大時(shí)減小占空比或禁止晶體管開通)要注意的:

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/227237.htm

            電路的不穩(wěn)定性

            目前被普遍認(rèn)識(shí)的是電路對(duì)元件、布線、生產(chǎn)工藝要求很高。使用劣質(zhì)元件、水準(zhǔn)不高的布板、變壓器繞制不恰當(dāng)都可能導(dǎo)致RCC電路無法工作,或在正常工作一段時(shí)間后失效。常見失效模式包括但不限于:

            漏感導(dǎo)致的二次擊穿

            RCC最常見也最典型的失效現(xiàn)象是主開關(guān)管燒毀。大部分此類故障是由變壓器基極線圈漏感導(dǎo)致的。 變壓器基極線圈的漏感和基極串聯(lián)的電阻形成LR低通濾波電路,對(duì)電流信號(hào)有延遲作用,導(dǎo)致在集電極電壓上升時(shí),基極電流減小的正反饋出現(xiàn)延遲。而這樣的延遲對(duì)于絕大部分雙極型開關(guān)管是致命的,它導(dǎo)致晶體管越出安全工作區(qū),以及發(fā)熱量過大,最終導(dǎo)致不可逆的二次擊穿。

            此類故障較少出現(xiàn)在使用功率MOSFET制作的RCC上,因?yàn)楣β蔒OSFET的安全工作區(qū)遠(yuǎn)大于雙極型晶體管。并且功率MOSFET為電壓控制型,開通/關(guān)斷閾值范圍窄,MOSFET較為不易出現(xiàn)同時(shí)承受大電流和高電壓的情況,即使偶爾出現(xiàn)也不會(huì)發(fā)生不可逆的失效。 曾經(jīng)有一批基于MOSFET的RCC電源常常因開關(guān)管損壞而失效,經(jīng)查證,是因?yàn)閺S家技術(shù)考慮不周,機(jī)械模仿110V地區(qū)產(chǎn)品,在220V交流線路(整流后電壓高達(dá)311V)上,使用了耐壓500V的MOSFET(型號(hào)是IRF840)。

            輸出電壓不穩(wěn),損壞用電器

            另一常見的問題是輸出電壓明顯超過設(shè)計(jì)輸出電壓,導(dǎo)致負(fù)載過熱、燒毀。特別是當(dāng)負(fù)載為鋰離子電池時(shí),輸出過高電壓極端危險(xiǎn),可能導(dǎo)致電池內(nèi)部氣體液體泄漏甚至爆炸。 原因一是變壓器繞組間不完全耦合,存在漏感,導(dǎo)致互調(diào)整率差。在變換器處于輕載狀態(tài),占空比小的時(shí)候,此問題更加嚴(yán)重。二是和集成芯片中包含的運(yùn)算放大器(放大倍數(shù)高達(dá)數(shù)百倍、數(shù)千倍)相比,電壓環(huán)路開環(huán)增益太小,精確穩(wěn)壓困難。

            并且這兩個(gè)缺點(diǎn)幾乎是不可能同時(shí)妥善解決的。解決二次擊穿問題要求基極線圈和主線圈近繞以保持耦合良好,而解決輸出電壓不穩(wěn)的問題要求次級(jí)線圈和基極線圈近繞,又要求初次級(jí)之間數(shù)千伏的電氣隔離。在有限繞線位置的變壓器骨架下,要達(dá)到這兩個(gè)矛盾的目的,十分困難。


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