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            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            作者: 時間:2013-12-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            關(guān)于的分析。我也參考了PI與仙童公司給出的設(shè)計參考,以及網(wǎng)絡(luò)上網(wǎng)友歸納的一些觀點與計算公式。但是我必須說,這些參考文獻給出的計算方法,沒有一個是可以直接應(yīng)用的,至少在這個使用ssl4101t的電源方案中,計算值與實際值出入非常大。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/227228.htm

            2元件參數(shù)設(shè)計計算

            下面我說下,我參考了各種資料以及自己分析出的一種計算方法。

            流入的能量在傳遞到后,所有的文獻都說,漏感能量損耗在了電阻R上,可以這么說,但是如果以這個為依據(jù)對鉗位電阻的阻值進行計算設(shè)計,這樣的做法是不對的,因為,這樣計算出來的電阻值不能保證,鉗位電路上的電壓波動在預(yù)想的范圍內(nèi),范圍波動的變化會影響到計算時所預(yù)計的箝位電壓值,導致整個設(shè)計完全失敗。所以電阻值的計算只有一個依仗,就是RC一階電路的理論,在前面已經(jīng)介紹了。這個電阻值的設(shè)計在于一個周期所期望的壓降,這個壓降由RC緩沖電路的放電速度限定。而當電阻的阻值并非由功率設(shè)定時,那么電阻上的功率只由電阻的上的壓降以及其阻值決定。


            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            從能量上考慮,鉗位電路必然要吸收漏感的能量,但是,這個漏感能量在傳遞到RCD鉗位電路之前,是有損耗的,損耗在于MOS管的輸出電容上,也就是Coss,因為,漏感能量要先給它充能,使得它兩端的電壓能達到鉗位電路的鉗位電壓,達到了鉗位電壓后,二極管才會導通,接著才是漏感能量向鉗位電路傳遞能量,但是在MOS管輸出電容上損耗的能量是非常小的,大概在漏感能量的3%左右,所以可以忽略不計。還有一點非常重要,漏感電流在流入鉗位電路的過程中,反射電壓會對其做功,在上面的等效圖上,看上去反射點呀是不會對漏感電流做功的,但是實際的情況是,初級漏感并非是在初級電感之后的小尾巴,它存在于初級電感的每一處,所以反射電壓是確確實實的加在了漏感身上,那么當漏感激發(fā)出電流時,反射電壓就會對其做功。在《開關(guān)電源A到Z》中,是這么描述這一情況的,并且還給出了相應(yīng)的公式。

            一次繞組與漏感串聯(lián),故較短時間內(nèi),漏感一直都在試圖復(fù)位。變壓器一次繞組被迫跟著變化并且連續(xù)提供此串聯(lián)電流,通過齊納管續(xù)流。雖然可以肯定一次繞組總是試圖通過二次側(cè)續(xù)流,但一部分能量還是被轉(zhuǎn)入齊納管鉗位電路,直到漏感完全復(fù)位。換句話說,一次電感中有些能量被串聯(lián)的漏感“迅速拿走”,并連同漏感本身所具有的的能量,一起通過齊納管電路續(xù)流。(P94)

            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計


            從4-11式可以看出,選定的鉗位電壓值越小,越接近反射電壓,那么損耗的功率也就越大,而當選擇的鉗位電壓值越大,損耗的功率也就越小,但是這時候MOS管兩端的電壓尖峰也就越高,因為若要二極管關(guān)斷截止,那么MOS管D極的電壓值必須要等于鉗位電容上的鉗位電壓最大值。

            而在實際使用這個公式去計算的時候,發(fā)現(xiàn)了一個問題,那就是,計算的能量值與實際流入RCD鉗位電路的能量值相比,計算值明顯大了不少,也就是說,并非所有的損耗能量都進入了鉗位電路,很大一部分消耗在別的元件器件上以及寄生參數(shù)上,還有一部分回饋給了電網(wǎng)。

            在PI公司給的鉗位電路設(shè)計參考中,對這一點有所提及。具體情況如下:

            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            PI公司將不同功率的電源,鉗位電路中所消耗的能量進行了劃分。在這個案例中輸出功率是大于90w的,但是實際情況并非PI所預(yù)計的。下面給出這個案例中,電阻使用100千歐,電容2.2納法,二極管為ESIJ,反向恢復(fù)速度為35納秒的超快速二極管的實測鉗位電路波形。

            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            圖表 12

            以及相對應(yīng)的MOS管兩端電壓波形:

            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            圖13

            以及,使用500ns回復(fù)時間的GROMA二極管時鉗位電容的波形:

            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            圖14使用GROMA時,MOS兩端電壓波形:

            RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計

            圖15

            下面

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