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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            作者: 時間:2014-01-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            ont-family: 宋體, Georgia, verdana, serif; ">4、瞬態(tài)響應(yīng)

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/227098.htm

            瞬態(tài)響應(yīng)是穩(wěn)壓器的動態(tài)特性,指負(fù)載電流階躍變化引起輸出電壓的瞬態(tài)脈沖現(xiàn)象和輸出電壓恢復(fù)穩(wěn)定的時間,與輸出電容COUT和輸出電容的等效串聯(lián)電阻RESR,以及旁路電容Cb有關(guān),最大瞬態(tài)電壓脈沖值ΔVTR(MAX)為:

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            其中: IO(MAX)是指發(fā)生階躍變化的最大負(fù)載電流;Δt1是穩(wěn)壓器閉環(huán)的響應(yīng)時間,與穩(wěn)壓器閉環(huán)帶寬(0dB頻率點)有關(guān)。設(shè)計應(yīng)用時需考慮降低穩(wěn)壓器的瞬態(tài)電壓脈沖,即提高穩(wěn)壓器的帶寬,增大輸出和旁路電容,降低其等效電阻。

            5、輸出精度

            穩(wěn)壓器的輸出精度是由多種因素的變化在輸出端共同作用的體現(xiàn),主要有輸入電壓變化引起的輸出變化ΔVLR、負(fù)載變化引起的輸出變化ΔVLDR、基準(zhǔn)漂移引起的輸出變化ΔVref、誤差放大器失調(diào)引起的輸出變化ΔVamp、采樣電阻阻值漂移引起的輸出變化ΔVres、以及工作溫度變化引起的輸出變化ΔVTC,輸出精度ACC由下式給出:

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            其中ΔVref、ΔVamp及ΔVres對ACC影響較大,故基準(zhǔn)電壓源、誤差放大器及采樣電阻網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在設(shè)計時需重點考慮。

            電路設(shè)計及模擬結(jié)果

            1、帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

            基準(zhǔn)電壓源是的核心模塊,是影響穩(wěn)壓器精度的最主要因素。帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是利用晶體管的VBE所具有的負(fù)溫度系數(shù)與不同電流密度下兩晶體管之間的ΔVBE所具有正溫度系數(shù)的特性,乘以合適的系數(shù)使二者相互補償,從而得到低溫漂的輸出電壓。

            電路實現(xiàn)如圖2所示,有:

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            其中n為Q1、Q2的發(fā)射區(qū)面積比。Hspice模擬結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓變化范圍在2.5~6V之間時,常溫下VREF = 1.254V,溫度變化范圍在-30~120℃之間時,溫漂系數(shù)小于10×10-6/℃。

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            圖2帶隙基準(zhǔn)源電路2、誤差放大器的設(shè)計

            誤差放大器將輸出反饋采樣電壓與基準(zhǔn)電壓進行差值信號比較放大,輸出后控制調(diào)整管的導(dǎo)通狀態(tài),保持Vout穩(wěn)定,其增益、帶寬及輸入失調(diào)電壓等指標(biāo)對穩(wěn)壓器的輸出精度、負(fù)載和電壓調(diào)整能力、瞬態(tài)響應(yīng)等特性有較大影響,電路實現(xiàn)如圖3所示。通過Hspice模擬得到該誤差放大器在VCC1為4.2V時,其輸入失調(diào)電壓為0.05μV,直流增益為110dB,帶寬達(dá)到10MHz.

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            圖3誤差放大器電路

            3、過流限制模塊的設(shè)計

            過流限制電路的設(shè)計思路是通過對調(diào)整管柵源電壓進行采樣,實現(xiàn)控制調(diào)整管的柵極電壓,從而達(dá)到限制輸出電流的目的,電路實現(xiàn)如圖4所示。

            一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

            圖4過流限制電路

            當(dāng)負(fù)載電流由小增大時,VDrv隨之降低,調(diào)整管MTG的ID隨之增大,通過M20對調(diào)整管MTG的柵源電壓進行采樣,使得M31的柵極電壓增大,這樣M21的柵極電壓隨之降低,從而實現(xiàn)對VDrv的調(diào)整。通過Hspice模擬得到,當(dāng)負(fù)載電流超過330mA時,M21將開始導(dǎo)通,從而使VDrv隨之提高,使調(diào)整管MTG導(dǎo)通程度減弱,起到限流保護作用。

            3.4過熱保護模塊的設(shè)計



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