亞芯片級封裝

XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點(類似于DFN型封裝)，采用創(chuàng)新的內部設計，使整體封裝尺寸小于任何類似芯片級封裝。

圖4. LLGA 3 0.62 x 0.62 x 0.4mm亞芯片級無引線封裝。

安森美半導體的NTNS3193NZ及NTNS3A91PZ使用最新XLLGA3 3導線亞芯片級封裝(見圖3)，尺寸僅為0.62 x 0.62 x 0.4 mm，是業(yè)界極其微型化的分立小信號MOSFET，總占位面積僅為0.38mm2。N溝道NTNS3193NZ的典型導通電阻為0.65 Ω @ ±4.5 V閘極至源極電壓，而NTNS3A91PZ P溝道元件的典型導通電阻為典型值1.1Ω@±4.5 V。它們是安森美半導體20 V小信號MOSFET系列中最小的元件;此系列元件還包括采用SOT563 (1.6x1.6x0.5 mm)、SOT723 (1.2 x 1.2 x 0.5 mm)、SOT963 (1.0 x 1.0 x 0.5 mm)及SOT883 (1.0 x 0.6 x 0.4 mm)封裝的元件。

隨著全球人口中使用移動技術的比例不斷提升，不斷發(fā)展的市場對更高性能及功能的需求預計也將上升。產品設計人員要想在短時間內領先于競爭對手來滿足這些要求，必須依靠結合硅技術進步及封裝技術改進。雖然大規(guī)模集成電路(LSI)持續(xù)遵循摩爾定律，在連續(xù)多世代的移動芯片組中集成更多功能，毫無疑問，新元件只會在市場需求被確認一段時間后才上市。

為了確保透過使用多個標準IC開發(fā)成功的設計來盡早上市，設計人員必須充分利用充當關鍵功能區(qū)域“膠合劑”(glue)之小信號分立元件創(chuàng)新的優(yōu)勢。隨著每個新芯片組的上市，領先的設計已經應用多芯片，并推動亞芯片級分立MOSFET的進一步需求。