項目：IR1150 PFC

現(xiàn)象：高溫測試的時候，MOSFET的殼溫才80度，就炸機了。先前幾臺，MOS的殼溫到達110度，都安然無事。

解決辦法：弄出來查原因，是驅動電阻焊錯了，本來10R，結果焊成100R。

分析：驅動電阻太大導致MOS損耗很大，同樣的結到殼熱阻，大的功耗會導致大的溫差。雖然殼溫才80度，但實際結溫已經(jīng)超過了MOS的承受范圍。

驅動電阻大了，會造成驅動的功率嚴重不足，而將管子熱死了!

如果驅動功率足夠大的話，也不會炸機的。

如果PCB走線引起的電感足夠大，將與MOS的GS端的電容Cgs諧振，會在驅動信號上線疊加尖峰，嚴重時會引起炸機，加電阻就是為了衰減這個振蕩

項目：L4981 PFC

現(xiàn)象：空載上電，驅動亂的不得了，震蕩頻率明顯變化。輸入電壓越高越厲害。開始以為，地線沒布好，PCB割了又割，都是不能解決。

解決辦法：仔細察了一下PCB ，發(fā)現(xiàn)有一根功率線立離控制電路比較近，該功率線連接的是MOSFET的D極。把該功率線隔斷，讓功率電流從遠離控制電路的地方繞過去，沒用。把靠近控制電路的PCB銅線弄成孤島，使之成為死銅，干擾消失。

分析：電場干擾，MOS的D極是dv/dt很大的地方，產(chǎn)生很大的共模干擾。所以控制電路要盡量遠離這個點。(完)