兩個PWM控制器都使用低端MOSFET導通電阻（RDS(ON)）進行電流監(jiān)控。檢測到的電壓降與OCSETx腳和地之間的電阻（如圖3中R8、R9）設(shè)置的門限相比較：

ROCSET=

其中，IOC是規(guī)定的過流保護門限，RCS是與ISENx腳相連的電流感應電阻。如果過流持續(xù)2個時鐘周期，則進入Hiccup模式，門驅(qū)動器斷開，進入軟啟動。重新啟動前，IC在軟啟動過程中要循環(huán)兩次。IC會在軟啟動過程中持續(xù)循環(huán)，直到過流現(xiàn)象消除為止。

圖3中SYNC腳用來實現(xiàn)兩個或多個ISL6443控制器的同步。使用時需接下拉電阻，不用時將其與VCC_5V相連。

2.2 PCB布局考慮

布局對基于ISL6443的DC-DC轉(zhuǎn)換器的成功實現(xiàn)非常關(guān)鍵。ISL6443工作在高頻模式下，開關(guān)時間非常短，在這種開關(guān)頻率下，即使最短的連線也會產(chǎn)生較大的阻抗。同時，峰值門驅(qū)動電流也會在極短的時間內(nèi)顯著升高。電流從一個器件到另一器件的轉(zhuǎn)換速度引起互連阻抗和寄生電路元件上的電壓尖脈沖。該電壓尖脈沖會降低效率，產(chǎn)生EMI，增加過壓應力和阻尼振蕩。仔細考慮PCB板布局，可使電壓尖脈沖的值最小。針對以上考慮總結(jié)了幾點布局上需注意的地方[4]：

(1)輸入電容、高端FET、低端FET、電感和輸出電容應首先放置。將輸入高頻去耦電容放在非?？拷麺OSFET的地方。

(2)在IC附近建立一個小的模擬接地平面。將SGND腳接至該平面，包括反饋電阻、電流極限設(shè)置電阻以及SDx下拉電阻的所有小信號接地端都接至SGND平面。

(3)高電流接地端PGND與小信號接地端SGND必須分開，在靠近IC的地方將SGND和PGND相連。

(4)確保從輸入電容到MOSFET、輸出電感和輸出電容的電流通路盡可能短，同時有最大的容許線寬。

(5)將PWM控制器靠近低端FET 放置。LGATE 的連接應該較短而且較寬。IC最好放置在無噪聲接地的地方。

(6)將VCC_5V旁路電容接在非常靠近VCC_5V腳的地方，將它的接地端接至PGND上。將門驅(qū)動元件自舉二極管和自舉電容放在接近IC的地方。

(7)輸出電容應盡量靠近負載。用短而寬的覆銅層連接輸出電容和負載，避免產(chǎn)生感抗和阻抗。

3 實驗數(shù)據(jù)分析與驗證

利用Catena公司提供的SIMetrix/SIMPLIS仿真工具實現(xiàn)了該電源方案的分析和驗證，具體方法可查閱參考文獻[6][7][8]。

圖4所示為ISL6443三路輸出電壓波形，PWM控制器門驅(qū)動器的電壓上升和下降時間均為18ns左右。因此，三路輸出電壓能在極短的時間內(nèi)達到穩(wěn)定值，從而滿足了FPGA的性能要求。

圖5所示為兩個PWM控制器的輸出波形。圖中可以看出，ISL6443的兩個PWM控制器呈180°異相工作，以減小輸入紋波電流。這降低了對輸入電容紋波電流的要求，減小了電源的感生噪聲，同時也提高了EMI抗干擾性能。

圖6所示為ISL6443軟啟動仿真波形。軟啟動功能使轉(zhuǎn)換器的輸出被監(jiān)控，得到過載、短路和欠壓保護。輸出持續(xù)過載會使PGOOD置低，從而進入軟啟動模式，直到過載現(xiàn)象消除為止。

本文利用Intersil高效三輸出同步補償穩(wěn)定器實現(xiàn)了StratixTM FPGA的電源系統(tǒng)設(shè)計，并且進行了一系列的仿真分析與驗證實驗。實驗表明該設(shè)計方案合理有效，易于實現(xiàn)，有較好的參考價值和實用價值。