以DLC接口及鉆銅基材制造大功率的垂直LED
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垂直LED的制作必需把GaN半導(dǎo)體軟銲在低膨脹率的基材上，但偏偏低膨脹率的材料(如矽或GuW)其散熱不佳，而高導(dǎo)熱材料的熱膨脹卻遠(yuǎn)大于GaN(約5.5ppm/mK), 因此LED專家找不到理想的銜接材料。本文推薦以DLC為接口而鉆石和銅的復(fù)合材料(鉆石散熱片)為基材制作全世界最先進(jìn)的垂直LED。這樣可以讓臺(tái)灣LED的產(chǎn)業(yè)蛙跳超前外國(guó)的主導(dǎo)公司(如Nichia, Osram，Lumiled)，也順勢(shì)擺脫歐、美、日對(duì)臺(tái)灣的專利封鎖。
LED的世界革命。2010年LED開(kāi)始大量用于室內(nèi)照明、戶外路燈、及電視背光。室內(nèi)照明常用的白熾燈(Incandescent Lamp)及螢光燈(Fluorescent Lamp)乃致LCD背光常用的冷陰極管(Cold Cathode Fluorescent Lamp)正在快速被淘汰中。
LED的主流產(chǎn)品為白光照明，大部份的白光乃以藍(lán)光的LED激發(fā)黃色的螢光粉產(chǎn)生假性的白光。LED的大宗生產(chǎn)乃以藍(lán)寶石為基材外延磊晶生長(zhǎng)GaN成為L(zhǎng)ED的芯片。生長(zhǎng)的主要方法為金屬有機(jī)化學(xué)氣相沈積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition 或MOCVD) 。 臺(tái)灣擁有最多臺(tái)的MOCVD設(shè)備，為世界LED晶粒產(chǎn)量第一的國(guó)家。但大陸已經(jīng)急起直追，甚至提供每臺(tái)MOCVD 補(bǔ)助人民幣一千萬(wàn)元的優(yōu)惠獎(jiǎng)勵(lì) 。
臺(tái)灣主要的生產(chǎn)公司（晶電、燦圓、新世記等）都已在大陸設(shè)廠。另一方面，臺(tái)灣光電產(chǎn)品的勁敵韓國(guó)（如Samsung）在２０１０年雖向臺(tái)灣大量采購(gòu)LED貨源，但自己卻也安裝了兩百多臺(tái)的MOCVD。所以臺(tái)灣MOCVD生產(chǎn)的LED其產(chǎn)能在2011年可能過(guò)剩，預(yù)期即將成無(wú)利可圖的紅海市場(chǎng)。臺(tái)灣急需開(kāi)發(fā)更高端的產(chǎn)品才能避免金融風(fēng)暴后DRAM殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的復(fù)轍 (如表一~表四) 。
表一：世界最大產(chǎn)值的LED產(chǎn)品公司(2009)
參考：LED Inside
表二：世界最大芯片產(chǎn)量的LED 公司(2010)
參考：IMS Research, SEMI
表三、主要LED公司使用MOCVD的規(guī)模(2009)
參考︰Yuanta Research estimates
表四：世界最大產(chǎn)值公司PK世界最大產(chǎn)量公司的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
LED的專利網(wǎng)
臺(tái)灣雖為L(zhǎng)ED制造王國(guó)，但就像其他的代工產(chǎn)業(yè)一樣，LED專利受制于國(guó)外的大公司，每年必須繳付鉅額的權(quán)利金。臺(tái)灣出錢制造卻為外國(guó)老板賺錢，而現(xiàn)在生產(chǎn)LED的技術(shù)更已大量外移大陸，這是臺(tái)灣LED代工生態(tài)的悲哀。(如圖1、2)
圖1：LED 專利網(wǎng)
圖2︰LED外國(guó)公司交互授權(quán)而邊緣臺(tái)灣代工產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀。然而這個(gè)劣勢(shì)卻可以讓鉆石科技中心發(fā)展的鉆石專利逆轉(zhuǎn)獲勝(見(jiàn)下述)
LED的戰(zhàn)國(guó)時(shí)代
提高LED性能的一種方法乃將電流由彎流改成順流。由于藍(lán)寶石基材不導(dǎo)電，LED正負(fù)兩個(gè)電極乃設(shè)在同面。當(dāng)電流通過(guò)GaN晶格時(shí)電流必須由垂直順流改成水平橫流，這樣電流就會(huì)集中在內(nèi)彎處，導(dǎo)致不能有效使用P-N接口的電子層和電洞層，因而減少了發(fā)光效率。更有甚者，電流集中之處會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)使晶格缺陷范圍延伸，LED的亮度就會(huì)隨缺陷擴(kuò)大而遞減。為了延長(zhǎng)LED的壽命，輸入的電流必須降低（如３５０mA），單位面積的發(fā)光亮度，就受到了限制。LED設(shè)計(jì)的主要設(shè)計(jì)有如下列諸圖所示(如圖3)
圖3：LED芯片的主要設(shè)計(jì)示意
LED電流轉(zhuǎn)彎的問(wèn)題不能靠封裝的設(shè)計(jì)(如復(fù)晶或Flip Chip)改善，把電流截彎取直才是正道，這樣必須把電極置于LED磊晶的兩側(cè)。電流平順就可以明顯提升LED的亮度。除此之外，相同亮度的順流LED使用的芯片面積較小，因此晶圓上切出的晶粒數(shù)目較多，也就是單顆LED的制造成本可能降低。尤其進(jìn)者，電流轉(zhuǎn)彎時(shí)若擴(kuò)大芯片的面積會(huì)使LED發(fā)光更不均勻。但是順流LED其發(fā)射的光子數(shù)目則會(huì)由發(fā)光面積的加大而提高。所以一顆以大電流(如1A)驅(qū)動(dòng)大面積的順流LED，其亮度會(huì)大于具有相同面積的多顆橫流LED。(如圖4)
LED的順流制造
制造順流式LED時(shí)乃將一導(dǎo)電體(如CuW)軟銲(如Au-Sn)在GaN的正極(P-Type)面。其后以雷射(如波長(zhǎng)248nm的KrF氣體雷射)從反面透明的藍(lán)寶石面照入，就可氣化GaN成為Ga及N2，這樣藍(lán)寶石就可以和負(fù)極(N-Type)剝離分開(kāi)了。(如圖5)
雷射剝離藍(lán)寶石基材后暴露出的GaN負(fù)極(如加入Si Dopant)在拋光后其導(dǎo)電率及透光率比正極(如加入Mg Dopant)要高，因此不需鍍上會(huì)吸光的ITO層做為電流散布層(Current Spreading Layer)就可在其上的部份鍍上電極而制成LED光源。
CREE以半導(dǎo)體SiC磊晶基材生長(zhǎng)GaN，在蒸鍍反射層(如銀)后軟銲(Solder)導(dǎo)電的矽晶制成所謂的“垂直式”LED。這種間接制程不僅可將昂貴的SiC基材以雷射剝離收回再用，垂直LED也能加大芯片(電流)及減少亮度衰減。國(guó)內(nèi)的晶電也以矽晶軟銲在GaN晶圓上，而燦圓則以GuW合金軟銲在GaN 的芯片上。旭明光電則以電鍍金屬(如Ni、Co、Cu)直接披復(fù)在GaN的晶圓上。然而軟銲可能局部接合不良以致若干GaN芯片(Die)在切割(Dicing)后發(fā)光不亮。另一方面，不以軟銲接合而以電鍍沈積的接口結(jié)合強(qiáng)度不高，更有甚者，金屬膨脹后可能自GaN表面剝離。有鑑于此，本文敘述一種新的垂直LED設(shè)計(jì)，乃采用“似鉆膜”Diamond Like Carbon (DLC)為半導(dǎo)體和金屬體的接口，不僅可避免軟銲造成制造良率問(wèn)題，也能舒解兩種回異材料之間的應(yīng)力。除此之外，DLC的熱傳導(dǎo)比銅快許多，因此以DLC為接口，可加速移除LED發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的廢熱，而可能大幅延長(zhǎng)使用壽命。
接口應(yīng)力的問(wèn)題
半導(dǎo)體(如GaN)和金屬(如Ni-Cu)的接口極其脆弱。合金的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于GaN，在高電流密度下的溫度較高處其接口應(yīng)力會(huì)迅速上升。尤其在啟動(dòng)LED的瞬間電流自接口電阻最低處匯流時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生爆點(diǎn)。除此之外，GaN晶格為六方晶系的würtzite結(jié)構(gòu)，因此具有壓電效應(yīng)，界面應(yīng)力產(chǎn)生的即時(shí)電場(chǎng)可以擾亂了LED內(nèi)的電流分布。不僅如此，金屬基材即使不自接口剝離，其膨脹也可能撐裂缺陷的某中區(qū)，以致在GaN內(nèi)部產(chǎn)生更大的缺陷，加大的缺陷會(huì)形成微小的熱點(diǎn)而造成光度衰淢的惡性循環(huán)。LED的電光效應(yīng)因接口的疲勞會(huì)在數(shù)千小時(shí)后迅速降低。(如圖6~7)
圖6：各種材料的熱傳導(dǎo)率及熱膨脹率的比較。圖示鉆石和銅的復(fù)合材料或“似鉆膜”(DLC)不僅有較高的熱傳導(dǎo)率，也具有可調(diào)節(jié)的熱膨脹率，因此能降低垂直LED的接口應(yīng)力及加快散出電光效應(yīng)產(chǎn)生的廢熱。
圖7：LED壽命隨接口應(yīng)力加大而縮短的示意圖。加大電流后壽命更會(huì)急遽衰減。
雷射剝離前磊晶的正極(P Type)需鍍上一層反射金屬(如銀)，再接上一個(gè)導(dǎo)電的支撐體。 若支撐體為合金，半導(dǎo)體和
評(píng)論