提高白光LED使用壽命的具體方法是改善芯片外形，采用小型芯片。因白光LED的發(fā)光頻譜中含有波長低于450nm的短波長光線，傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂密封材料極易被短波長光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速了密封材料的劣化。改用硅質(zhì)密封材料與陶瓷封裝材料，能使白光LED的使用壽命提高一位數(shù)。

改善白光LED的發(fā)光效率的具體方法是改善芯片結構與封裝結構，達到與低功率白光LED相同的水準，主要原因是電流密度提高2倍以上時，不但不容易從大型芯片取出光線，結果反而會造成發(fā)光效率不如低功率白光LED，如果改善芯片的電極構造，理論上就可以解決上述取光問題。

實現(xiàn)發(fā)光特性均勻化的具體方法是改善白光LED的封裝方法，一般認為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術就可以克服上述困擾。

減少熱阻抗、改善散熱問題的具體內(nèi)容分別是：

① 降低芯片到封裝的熱阻抗。

② 抑制封裝至印制電路基板的熱阻抗。

③ 提高芯片的散熱順暢性。

為了降低熱阻抗，國外許多LED廠商將LED芯片設在銅與陶瓷材料制成的散熱鰭片表面，如圖1所示，用焊接方式將印制電路板上散熱用導線連接到利用冷卻風扇強制空冷的散熱鰭片上。德國OSRAM Opto Semiconductors Gmb 實驗結果證實，上述結構的LED芯片到焊接點的熱阻抗可以降低9K/W，大約是傳統(tǒng)LED的1/6左右。封裝后的LED施加2W的電功率時，LED芯片的溫度比焊接點高18℃，即使印制電路板的溫度上升到500℃，LED芯片的溫度也只有700℃左右。熱阻抗一旦降低，LED芯片的溫度就會受到印制電路板溫度的影響，為此必須降低LED芯片到焊接點的熱阻抗。反過來說，即使白光LED具備抑制熱阻抗的結構，如果熱量無法從LED封裝傳導到印制電路板的話， LED溫度的上升將使其發(fā)光效率下降，因此松下公司開發(fā)出了印制電路板與封裝一體化技術，該公司將邊長為1mm的正方形藍光LED以覆芯片化方式封裝在陶瓷基板上，接著再將陶瓷基板粘貼在銅質(zhì)印制電路板表面，包含印制電路板在內(nèi)模塊整體的熱阻抗大約是15K/W。

(a) OSRAM LED的封裝方式

(b) CITIZEN LED的封裝方式
圖1 LED散熱結構

針對白光LED的長壽化問題，目前LED廠商采取的對策是變更密封材料，同時將熒光材料分散在密封材料內(nèi)，可以更有效地抑制材質(zhì)劣化與光線穿透率降低的速度。原文位置

由于環(huán)氧樹脂吸收波長為400~450nm 的光線的百分比高達45%，硅質(zhì)密封材料則低于1%，環(huán)氧樹脂亮度減半的時間不到1萬小時，硅質(zhì)密封材料可以延長到4萬小時左右（如圖2所示），幾乎與照明設備的設計壽命相同，這意味著照明設備在使用期間不需更換白光LED。不過硅質(zhì)密封材料屬于高彈性柔軟材料，加工上必須使用不會刮傷硅質(zhì)密封材料表面的制作技術，此外制程上硅質(zhì)密封材料極易附著粉屑，因此未來必須開發(fā)可以改善表面特性的技術。

圖2 硅質(zhì)密封材料與環(huán)氧樹脂對LED光學特性的影響

雖然硅質(zhì)密封材料可以確保白光LED有4萬小時的使用壽命，然而照明設備業(yè)界有不同的看法，主要爭論是傳統(tǒng)白熾燈與熒光燈的使用壽命被定義成“亮度降至 30%以下”，亮度減半時間為4萬小時的白光LED，若換算成亮度降至30%以下的話，大約只剩2萬小時。目前有兩種延長組件使用壽命的對策，分別是：

① 抑制白光LED整體的溫升。

② 停止使用樹脂封裝方式。

以上兩項對策可以達成亮度降至30%時使用壽命達4萬小時的要求。抑制白光LED溫升可以采用冷卻白光LED封裝印制電路板的方法，主要原因是封裝樹脂在高溫狀態(tài)下，加上強光照射會快速劣化，依照阿雷紐斯法則，溫度降低100℃時壽命會延長2倍。

停止使用樹脂封裝可以徹底消滅劣化因素，因為白光LED產(chǎn)生的光線在封裝樹脂內(nèi)反射，如果使用可以改變芯片側面光線行進方向的樹脂材質(zhì)反射板，由于反射板會吸收光線，所以光線的取出量會銳減，這也是采用陶瓷系與金屬系封裝材料的主要原因。LED封裝基板無樹脂化結構如圖3所示。




圖3 LED封裝基板無樹脂化結構

有兩種方法可以改善白光LED芯片的發(fā)光效率：一種是使用面積比小型芯片（1mm2左右）大10倍的大型 LED芯片；另外一種是利用多個小型高發(fā)光效率LED芯片組合成一個單體模塊。雖然大型LED芯片可以獲得大光束，不過加大芯片面積會有負面影響，例如芯片內(nèi)發(fā)光層不均勻、發(fā)光部位受到局限、芯片內(nèi)部產(chǎn)生的光線放射到外部時會嚴重衰減等。針對以上問題，通過對白光LED的電極結構的改良，采用覆芯片化封裝方式，同時整合芯片表面加上技術，目前已經(jīng)達成50lm/W的發(fā)光效率。大型白光LED的封裝方式如圖4所示。有關芯片整體的發(fā)光層均等性，自從出現(xiàn)梳子狀與網(wǎng)格狀P型電極這后，使電極也朝最佳化方向發(fā)展。