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            EEPW首頁 > 光電顯示 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 國內(nèi)外led相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀,led行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

            國內(nèi)外led相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀,led行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

            作者: 時(shí)間:2011-10-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            1. 國外LED現(xiàn)狀,LED標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀,LED國家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀--LED

              嚴(yán)格地講,不僅僅國內(nèi)沒有沒有專門命名為半導(dǎo)體照明的標(biāo)準(zhǔn),國外目前也沒有專門命名為半導(dǎo)體照明的標(biāo)準(zhǔn),只有有關(guān)普通 LED的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和與普通光源有關(guān)的照明方面的標(biāo)準(zhǔn)。普通LED的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有:

            ( 1)IEC60747-5 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits(1992)

            IEC60747-5半導(dǎo)體分立器件及集成電路

            ( 2)IEC60747-5-2 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-2:Optoelectronic devices-Essential ratings and characteristics (1997-09)

            IEC60747-5-2分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件5-2:光電子器件—分類特征及要素(1997-09)

            ( 3)IEC60747-5-3 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-3 :Optoelectronic devices-Measuring methods(1997-08)

            IEC60747-5-3分立半導(dǎo)體器件及集成電路

            零部件 5-3:光電子器件—測(cè)試方法(1997-08)

            ( 4)IEC60747-12-3 Semiconductor devices-part12-3: optoelectronic devices –Blank detail specification for light-emitting diodes –Display application(1998-02)

            IEC60747-12-3半導(dǎo)體分立器件12-3:光電子器件—顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)標(biāo)準(zhǔn)(1998-02)

            ( 5)CIE127-1997 Measurement of LEDs(1997)

            CIE127-1997 LED測(cè)試方法(1997)

            ( 6) CIE/ISO standards on LED intensity measurements

            CIE/ISO LED強(qiáng)度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

              國際照明委員會(huì)( CIE)1997年發(fā)表 CIE127-1997 LED測(cè)試方法 , 把 LED 強(qiáng)度測(cè)試確定為平均強(qiáng)度的概念,并且規(guī)定了統(tǒng)一的測(cè)試結(jié)構(gòu)和探測(cè)器大小,這樣就為 LED 準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)奠定了基礎(chǔ)。雖然CIE 127-1997 測(cè)試方法 并非國際標(biāo)準(zhǔn),但它容易實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì),目前世界上主要企業(yè)都已采用。 但是隨著技術(shù)的快速發(fā)展,許多新的 LED技術(shù)特性 CIE127-1997 LED測(cè)試方法 沒有涉及。

              目前,隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,發(fā)達(dá)國家非常重視 LED測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的制訂。如美國國家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)研究所(NIST)正在開展LED測(cè)試方法的研究,準(zhǔn)備建立整套的LED測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí),許多國外大公司的研究和開發(fā)人員正在積極參與國家和國際專業(yè)化組織,制訂半導(dǎo)體照明測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。如2002年10月28日,美國Lumis公司和日本Nichia宣布雙方進(jìn)行各自LED技術(shù)的交叉授權(quán),并準(zhǔn)備聯(lián)合制訂功率型LED標(biāo)準(zhǔn),以推動(dòng)市場(chǎng)應(yīng)用。

            2. 國內(nèi)LED現(xiàn)狀--LED國家標(biāo)準(zhǔn)

              國內(nèi)目前沒有較全面的 LED及其照明器具國家和LED行業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),也沒有相應(yīng)的檢測(cè)系統(tǒng)。在生產(chǎn)中企業(yè)往往以樣管封存的參數(shù)為對(duì)比依據(jù)。不同性質(zhì)的相關(guān)生產(chǎn)廠家、用戶、研究所、高校經(jīng)常對(duì)此存在很大的爭議,這種在學(xué)術(shù)界內(nèi)部、企業(yè)界內(nèi)部及相互之間對(duì)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)識(shí)的不一致嚴(yán)重阻礙了產(chǎn)品的應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。雖然有一些企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)采購了部分檢測(cè)設(shè)備,由于缺少專業(yè)的研究,導(dǎo)致設(shè)備水平低、儀器配套性差、檢測(cè)精度低,而且檢測(cè)結(jié)果相互之間不好對(duì)比,測(cè)試項(xiàng)目不能滿足用戶需要。國內(nèi)專業(yè)檢測(cè)機(jī)構(gòu)曾經(jīng)開展過一些 LED的測(cè)試研究工作,但由于條件所限,尚不能形成完整的檢測(cè)評(píng)價(jià)系統(tǒng),檢測(cè)水平與國外發(fā)達(dá)國家有較大差距。

              從八十年代初起,我國相繼制定了一些與發(fā)光二極管相關(guān)的和國家標(biāo)準(zhǔn)。 國內(nèi)現(xiàn)有與 LED測(cè)試有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)有:

            ( 1) Sj2353.3-83半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

            ( 2) Sj2658-86 半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測(cè)試方法

            ( 3)GB/T12561—1990發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

            ( 4)GB/T15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路:光電子器件(國家標(biāo)準(zhǔn))

            ( 5)GB/T18904.3—2002半導(dǎo)體器件12-3:光電子器件顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范(采用IEC60747-12-3:1998)

            ( 6) 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第 5 - 2 部分:光電子器件基本額定值和特性(國家標(biāo)準(zhǔn);制訂中)

            ( 7)半導(dǎo)體分立器件和集成電路第 5 - 3 部分:光電子器件測(cè)試方法(國家標(biāo)準(zhǔn);制訂中)

            ( 8) 半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法(中國光協(xié)光電器件分會(huì)標(biāo)準(zhǔn); 2002



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