SMI的ZnO MOCVD反應(yīng)器
Structured Materials Industries公司生產(chǎn)ZnO反應(yīng)器的特征為：高速旋轉(zhuǎn)的圓盤具有各種各樣的尺寸，分別為1×1、1×2、3×2、6×2、8×2、19×2和38×2英寸。這些可旋轉(zhuǎn)的CVD設(shè)備使用一個(gè)均勻加熱的沉積平臺來生長大面積的均勻薄膜，薄膜的沉積速率為每分鐘10-20nm。
這種均勻的薄膜沉積來自于四帶加熱系統(tǒng)，它與高溫、熱膨脹和氧化環(huán)境等關(guān)聯(lián)ZnO生長的條件相兼容。利用這種設(shè)計(jì)，最大的反應(yīng)器也能夠在晶片上獲得均勻的溫度，晶片溫度不均勻性不超過1%，能夠產(chǎn)生的摻雜和未摻雜薄膜，其厚度變化幅度低于4%，而且即使是一個(gè)爐中出來的晶片，片與片之間的厚度不均勻性低于5%。
LED電極的ZnO生長條件為：生長壓力為0.05個(gè)大氣壓；溫度范圍從450℃到650℃；二乙基鋅、三甲基鋁和氧氣的流速分別是80、15和200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘（sccm），用來提供Zn源、Al摻雜劑和O源。氬氣的流速范圍從4000到7000sccm，用來作為惰性運(yùn)載氣體。將源材料按照一個(gè)呈放射形狀分布進(jìn)行均勻注入，采用方向向下的運(yùn)輸氣流，從而獲得了高質(zhì)量的薄膜生長。
圖. 電阻加熱被用在反應(yīng)器中，伴隨著旋轉(zhuǎn)速度為每分鐘上百個(gè)的圓盤。這個(gè)多晶片生長設(shè)備能夠在硅、石英和GaN上沉積ZnO。