在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            新聞中心

            EEPW首頁(yè) > 光電顯示 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 白光LED的聚光系統(tǒng)

            白光LED的聚光系統(tǒng)

            作者: 時(shí)間:2011-12-24 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            -Micro Lens

            一、設(shè)計(jì)目的(Design Objective)
            隨著發(fā)光二極管的發(fā)展,發(fā)光效率也比往年大幅的提高,GELcore預(yù)測(cè)于2005年會(huì)達(dá)到70lm/W以上?,F(xiàn)今早已超過(guò)白幟燈泡的效率。因LED壽命長(zhǎng)、體積小、易封裝的優(yōu)點(diǎn),未來(lái)期待可以應(yīng)用于照明領(lǐng)域而取代傳統(tǒng)燈源。而要達(dá)到高亮度就必須從LED制程著手,進(jìn)而注意如何封裝以達(dá)到最佳的發(fā)光效率,免得再未提升發(fā)光效率反而使得發(fā)光效率變差。因此要設(shè)計(jì)高亮度發(fā)光二極管專用Lens以提高發(fā)光效率,并以實(shí)際模擬的方式來(lái)證明;LED
            外部量子效率本身是由內(nèi)部量子效率與光學(xué)效率(Optical Efficiency)所決定。

            二、透鏡設(shè)計(jì)理論(Lens Design Theory)
            LED Lens的聚光最基本的原理為曲率設(shè)計(jì)的技巧,我們知道LED的光源為一點(diǎn)光源,要如何將一點(diǎn)光源變成一束聚合的光源,這就需要仰賴Lens的聚光特性。在LED Lens Design上,通常都是利用平凸透鏡、凹凸透鏡兩種來(lái)做為提升外部量子效率的透鏡系統(tǒng)。所以Lens能否提供最佳的量子效率完全取決于透鏡的曲率弧度,因此曲率弧度設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)、劣會(huì)影響到光的行進(jìn)改變與光的反射系數(shù)和穿透系數(shù),因此,曲率的變化(指微小的改變)會(huì)使得光線就產(chǎn)生巨大的改變,進(jìn)而影響到發(fā)光強(qiáng)度;因此接下來(lái)就要開始來(lái)探討上述兩個(gè)公式,由此為基礎(chǔ)開始來(lái)設(shè)計(jì)一個(gè)適合的Lens。再除了上述的因素外,仍需考慮的一項(xiàng)重要問(wèn)題就是Lens對(duì)光波的吸收率、穿透性等兩個(gè)重點(diǎn)。當(dāng)Lens有入射光時(shí),在界面的地方會(huì)有部份光線被Lens反射回來(lái),剩余光波就穿透到Lens內(nèi)部,而光波在Lens內(nèi)部到達(dá)另一面接口時(shí)又有部份光線被Lens反射回來(lái),剩余光波就穿透到Lens到達(dá)外部,在Lens內(nèi)部被反射的光波及轉(zhuǎn)為熱能而成為光的損耗,稱之為吸收性。

            圖八:薄膜層沉積厚度
            由上述原理做為基礎(chǔ)與制程設(shè)備來(lái)開發(fā)磊芯片,
            目前初期成果先預(yù)設(shè)在芯片所成長(zhǎng)出來(lái)的磊芯片,經(jīng)
            量測(cè)設(shè)備量測(cè)后,其波段可以再近紫外光波段即可,
            在往后將著重于先前磊芯片結(jié)構(gòu)中Quantum Well Thin Film與透明電極層的改良,因?yàn)镼uantum Well的膜厚度得不同會(huì)使之產(chǎn)生有不同的Quantum efficiency產(chǎn)生,改善內(nèi)部量子效率的條件有下列:
            ○1 調(diào)整II-VI族材料調(diào)配比例。
            ○2 改善制程時(shí)薄膜層沉積厚度(圖八)。
            ○3 找尋降低II-VI族材料高能隙的替代材料。
            而熒光體的開發(fā)則由上述原理作方式來(lái)制造R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))三種熒光體光體,利用C.I.E.色坐標(biāo)圖來(lái)混合、調(diào)制出白光用熒光體,而R、G、B三色熒光體材料是分別由II-VI族材料中Doping其它不同價(jià)的材料來(lái)制作而成。
            最后白光LED制程末端的透鏡設(shè)計(jì),先采用理論的計(jì)算與繪圖說(shuō)明光經(jīng)過(guò)
            Lenses的行進(jìn)方向與穿透率、吸收率及反射率的狀況,而在此處的設(shè)計(jì)初步可以得知有兩種Lenses可以作為改善外部量子效率的方法,往后會(huì)逐步的將兩種Lenses做更深入的設(shè)計(jì)、研究與探討。



            關(guān)鍵詞: 白光 LED 聚光系統(tǒng)

            評(píng)論


            相關(guān)推薦

            技術(shù)專區(qū)

            關(guān)閉