圖四

IPKPMAX為全電壓范圍內IPKP的最大值，緩沖電容C1SN要承受大電流尖峰，要求其等效串聯(lián)電阻ESR很小，R1根據(jù)功耗選擇合適的W數(shù)，阻值一般在47K-120K之間

吸收回路二極管D1通常選擇快恢復二極管，且導通時間也要求快，反向擊穿電壓要求大于選擇的MOSFET的擊穿電壓BVDSS,一般在65W以下應用場合選用額定電流1A的快恢復二極管作為吸收回路二極管。

5.2.4MOS管的選取

開關管MOSFET最大漏極電流IDMAX應大于開關管所流過的峰值電流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源擊穿電壓(參考圖四)BVDSS應大于最大輸入電壓，VOR以及漏感引起的尖峰之和，一般應留至少90%的余量。

5.2.5次級整流管的選取

考慮一定的裕量，次級整流管D最大反向電壓VRM需滿足：

因為反激式開關電源次級整流二極管只有在電源Toff的時候才會導通，輸出在導通時必須能夠承受整個輸出電流的容許值。輸出二極管需要的最小正向導通峰值電流為：

Dmax為工作周期，如果設定Dmax為0.5則Ifps>4Iout

5.2.6輸出電容的選取

輸出電容電壓通常呈現(xiàn)兩種紋波，一種是由高頻輸出電流引起，主要與輸出電容的等效竄連電阻(ESR)大小有關，另外一種是低頻紋波，為了獲得較高的PF值，環(huán)路帶寬通常較窄，因此輸出不可避免地出現(xiàn)較大的兩倍輸入電壓頻率紋波，其值與電容大小有關，一般說來低頻紋波滿足要求時，高頻紋波因為電容等效ESR夠小，可以忽視。電容的容量可以參考各個廠家的規(guī)格書(一般選用高頻低阻型)選用，根據(jù)產(chǎn)品的實際工作溫度，電壓和考慮產(chǎn)品的MTBF選取合適的電容系列型號。

5.2.7IC主要外圍參數(shù)選取

5.2.7.1最大導通時間典型參數(shù)選取

圖五

5.2.7.2CsPin參數(shù)選取

R1與C1為用來濾除突波的濾波器

R1:100?~300?

C1:100PF~470PF

圖六

5.2.7.3RZCD參數(shù)選取

圖七

六、用LD7830和LD8105做的24V0.7A的實際應用實例

6.1.電路：

圖八

6.2.實際測試相關參數(shù)：

6.2.1空載功耗在輸入AC264V為0.29W,低于0.3W

圖九

6.2.2效率和PF值曲線

圖十

6.2.3CV-CC曲線以及說明

Led照明驅動電源必須以恒流CC模式和恒壓CV模式來控制，由于LED的正向導通壓降會隨著焊接面的溫度升高而降低，導致LED的電流會增大，使溫度升高，從而導致LED的壽命減少，甚至可能會造成產(chǎn)品的損害。所以參考圖八電路，次級部分采用了LD8105來做CV/CC模式控制，LD8105是一款高精度的CV/CC模式控制IC,與其它同類IC比較具有電流檢測電壓低，Vcc輸入電壓比較寬，工作電流小等特點，從而可以提高整個系統(tǒng)的效率和應用范圍。

圖11

本文的目的是為了進行類似電路設計的開發(fā)人員或者準備用類似線路做設計的人員提供一個基本設計的參考資料，希望本文中一些經(jīng)驗能夠幫到大家。