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            解讀2013年LED照明十大關(guān)鍵技術(shù)

            作者: 時(shí)間:2013-09-21 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            東芝直接開賣LED,而芯片正是采用與美國(guó)普瑞(Bridgelux)合作的在8吋硅基板上生長(zhǎng)的LED芯片。東芝共發(fā)布了四款現(xiàn)行產(chǎn)品的規(guī)格書,包括一款色溫3000K,一款色溫4000K及兩款色溫5000K的LED產(chǎn)品。其中在典型正向電壓為2.9V時(shí),350mA驅(qū)動(dòng)色溫5000K,顯色指數(shù)為70的型號(hào)為TL1F1-NW0的LED,光效達(dá)到110lm/W。

              中國(guó)廠商晶能光電經(jīng)過(guò)多年在硅襯底領(lǐng)域的耕耘,在2013年推出的發(fā)光效率超過(guò)120lm/W硅基大功率LED芯片產(chǎn)品,這對(duì)渴望自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)芯片是一個(gè)極大的利好消息。

              在中國(guó)工信部公布的2013年第十二屆資訊產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明評(píng)選結(jié)果中,晶能光電(江西)有限公司《硅襯底氮化鎵基LED材料及大功率芯片技術(shù)》專案被評(píng)為資訊產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明,并納入《電子資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金專案指南》,享受國(guó)家電子資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金專案資金扶持。

              而GaN基同質(zhì)外延也并不示弱,在2013年7月3日,首爾半導(dǎo)體全球首次發(fā)布了“npola”,單顆亮度達(dá)到500lm,中村修二博士專程去首爾去為發(fā)布會(huì)站臺(tái)。而中村博士參與創(chuàng)辦的SORAA公司更是以前瞻性的GaN-on-GaNLED技術(shù)獲得了美國(guó)DOE下屬的能源轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)ARPA-E(AdvancedResearchProjectsAgency-Energy)的資助。

              而CREE在所謂SC3這種新一代技術(shù)平臺(tái)下,連續(xù)推出多款刷新業(yè)界光效的量產(chǎn)LED產(chǎn)品,12月更推出XLamp系列MK-R在1W和25°C溫度的條件下,可提供高達(dá)200lm/W的發(fā)光效率。再次提振SiC襯底LED在光效競(jìng)賽中綜合實(shí)力排頭地位。

              非藍(lán)寶石襯底方案,不僅僅是一次次為產(chǎn)業(yè)界所共同關(guān)注,各國(guó)政府也都將之作為重要的基礎(chǔ)研究而納入政策視野,入選十大理所當(dāng)然。

              關(guān)鍵字四:共晶技術(shù)

              另一項(xiàng)在2013年炙手可熱的封裝技術(shù)就是共晶。

              共晶是指在相對(duì)較低的溫度下共晶焊料發(fā)生共晶物熔合的現(xiàn)象,共晶合金直接從固態(tài)變到液態(tài),而不經(jīng)過(guò)塑性階段,是一個(gè)液態(tài)同時(shí)生成兩個(gè)固態(tài)的平衡反應(yīng)。其熔化溫度稱共晶溫度。

              共晶焊接技術(shù)最關(guān)鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制。如采用共晶焊接,晶粒底部可以采用純錫(Sn)或金錫(Au-Sn)等合金作接觸面鍍層,晶??珊附佑阱冇薪鸹蜚y的基板上。當(dāng)基板被加熱至適合的共晶溫度時(shí),金或銀元素滲透到金錫合金層,合金層成份的改變提高溶點(diǎn),令共晶層固化并將LED緊固的焊于熱沉或基板上。共晶層和熱沉或基板完全的鍵合為一體,打破從芯片到基板的散熱系統(tǒng)中的熱瓶頸,提升LED壽命。

              雖然此前這項(xiàng)技術(shù)就被大廠所采用,不過(guò)通常的芯片結(jié)構(gòu)因?yàn)槭撬{(lán)寶石襯底而不能適用共晶技術(shù)。但是到2013年伴隨非藍(lán)寶石襯底的芯片方案增多,另外加上采用藍(lán)寶石襯底的大功率芯片廠商推出了更多倒裝結(jié)構(gòu)的芯片,使得共晶技術(shù)成為中國(guó)封裝廠商提升技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力的選項(xiàng)。因而瑞豐,天電等不少?gòu)S商不惜重金購(gòu)置昂貴的共晶固晶設(shè)備。

              關(guān)鍵字五:HVLED

              HVLED顧名思義就是高壓LED,與傳統(tǒng)DCLED相比,具有封裝成本低、暖白光效高、驅(qū)動(dòng)電源效率高,線路損耗低等優(yōu)勢(shì)。具體來(lái)說(shuō):

              1、HVLED直接在芯片級(jí)就實(shí)現(xiàn)了微晶粒的串并聯(lián),使其在低電流高電壓下工作,將簡(jiǎn)化芯片固晶、鍵合數(shù)量,封裝成本降低。

              2、HV芯片在單位面積內(nèi)形成多顆微晶粒集成,避免了芯片間BIN內(nèi)如波長(zhǎng)、電壓、亮度跨度帶來(lái)的一致性問(wèn)題;

              3、HVLED芯片是在小電流下驅(qū)動(dòng)的功率型芯片,可以與紅光LED芯片集成+黃色螢光粉形成暖白光,比傳統(tǒng)DCLED+紅色螢光粉+黃色螢光粉形成的暖白光出光效率高,并縮短了LED暖白與冷白封裝光效的差距,且更易實(shí)現(xiàn)光源的高顯指;



            關(guān)鍵詞: LED照明 智能照明 OLED光源

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